ОГЛАВЛЕНИЕ
ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
ГЛАВА I. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ.
1.1. Центры окраски в щелочногалоидных кристаллах. .
1.2. Центры окраски в аммонийногалоидных кристаллах.
1.3. Галогениды алкиламмонияорганические аналоги
ЩГК и АГК . .
1.4. Радиационные дефекты в галогенидах алкиламмония.
1.5. Радиационное дефектообразование в органических молекулярных кристаллах
ГЛАВА П. ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА.
П.1. Синтез,очистка и выращивание монокристаллов ГАА.
П.2. Методика и аппаратура эксперимента
ГЛАВА Ш. РАДИАЦИОННОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИДРАЛОГЕНИДАХ АЛКИЛАММОНИЯ.
Ш.1. Радиационное окрашивание ГАА
1.2. Парамагнитные радиационные дефекты в ГАА
1.2.1. Галогениды моноалкиламмония.
1.2.2. Галогениды диалкиланмония .
Ш.2.3. Галогениды триалкиламмония
1.2.4. Галогениды тетраалкиламмония .
1.3. Механизм образования радиационных дефектов в ГАА
Заключение к главе 1
ГЛАВА 1У.РЕК0МБИНАЦИ0ННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ОБЛУЧЕННЫХ ГАА .
Заключение к главе 1У.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ .
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922