Ви є тут

Захват и ре-эмиссия дейтерия, ионно-имплантированного в материалы первой стенки термоядерных установок

Автор: 
Цыплаков Валерий Николаевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1984
Кількість сторінок: 
211
Артикул:
181960
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава I. ОБЗОР РАБОТ ПО ИЗУЧЕНИЮ ЗАХВАТА И РЕЭШССИИ ИОНОВ ИЗОТОПОВ ВОДОРОДА И ИЗМЕРЕНИЮ ИХ ПОгДВШНОСТИ В МАТЕРИАЛАХ ТЯУ И ТЯР.
1.1. Основные понятия .
1.2. Методы исследования процессов захвата и реэшссии легких ионов в материалах ТЯР . .II
1.3. Обработка данных термодесорбционных экспериментов .
1.4. Экспериментальные данные по захвату и реэмиссии конов изотопов водорода в материалы ТЯУ и ТЯР.
1.5. Модели захвата компонент водородной плазмы
и моноэнергетичных ионов материалами. .
1.6. Подвижность водорода в материалах первой стенки ТЯУ и проницаемость поверхности.
вывода.
Глава П. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА АППАРАТУРА И
МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ЗАХВАТА ИОНОВ ИЗОТОПОВ ВОДОРОДА МАТЕРИАЛАМИ ТЯУ.
2.1. Установка
2.2. Аппаратура.
2.3. Методика исследования процессов захвата водорода, ионноимплантированного в материалы ТЯУ
ВЫВОДЫ.
Глава Ш. ЗАХВАТ И РЕЭМИССИЯ ДЕЙТЕРИЯ, ИОПНОИМПЛАНТИРОВАННОГО В МАТЕРИАЛЫ ТЯУ и ТЯР МЕТЛШк С ПОЛОЖИТЕЛЬНОЙ ТЕПЛОТОЙ РАСТВОРЕНИЯ ВОДОРОДА . .
3.1. Поглощение ионов дейтерия молибденом
3.1.1. Экспериментальные результаты
Стр.
3.1.2. Определение энергий активации и коэффициентов диффузии.
3.1.3. Природа пиков в термодесорбционных спектрах.
3.1.4. Накопление дейтерия в условиях, близких
к насыщению.
3.2. Захват ионов дейтерия в алюминий
3.2.1. Экспериментальные результаты
3.2.2. Обсуждение экспериментальных данных . .
ВЫВОДЫ
Глава 1У. ЗАХВАТ И РЕЭМИССИЯ ИОНОВ ДЕЙТЕРИЯ ПРИ ВНЕДРЕНИИ В МАТЕРИАЛЫ ТЯУ И ТЯР
ВОДОРОДОАКТИВНЫЕ МЕТАЛЛЫ
4.1. Экспериментальные результаты
4.2. Сравнение с известными данными по реэмиссии
при внедрении дейтронов в ниобий .
4.3. Природа пиков в термодесорбционных спектрах дейтерия из ниобия
4.4. Химические формы дейтерия, покидающего водородоактивные металлы.
ВЫВОДЫ.
Глава У. ЗАХВАТ И РЕЭМИССИЯ ДЕЙТРОНОВ, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ
В МАТЕРИАЛЫ ТЯУ И ТЯР МАТЕРИАЛЫ С НИЗКИМ АТОМНЫМ НОМЕРОМ.
5.1. Параметры захвата дейтронов в углеситалл . . . .
5.1.1. Экспериментальные результаты и их обсуждение .
5.1.2. Процессы освобождения дейтерия и захватывающие центры дейтронов в углескталле. . . .
5.2. Поглощение ионов дейтерия нитридом бора и кварцевым стеклом.ИЗ
ВЫВОДЫ
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ ТЯУ И ТЯР.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ