Ви є тут

Влияние носителей заряда на релаксацию магнитных ионов в магнитных полупроводниках

Автор: 
Виглин Николай Альфредович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1984
Кількість сторінок: 
111
Артикул:
182105
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
I. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАГНИТНЫХ
ПОЛШРОВОДНИКОВ Ей О И НСгЬе ОБЗОР.II
1.1. Основные физические свойства Ей О II
1.2. Основные физические свойства Ье
1.3. Процессы спиновой релаксации в магнитно
концентрированных соединениях
1.4. фактор ъЕиО
1.4.1. фактор в ЕиО
1.4.2. фактор ъНСг
1.5. Ширина линии магнитного резонанса при ферромагнитном упорядочении.
2. МЕТОДИКА ЭКСПЕШуШГА.
2.1. Измерение электропроводности образцов
2.2. Методика измерений ЗПР
2.3. Методика измерений ФМР.
3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В МОНООКСИДЕ ЕВРОПИЯ
3.1. Зависимость электропроводности ЕиО от степени легирования и отклонения
состава от стехиометрического.
3.2. Температурная зависимость параметров
ЗПР в ЕиО.
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭПР В СЕЯЕНОХРОМИТЕ РТУТИ
4.1. Электропроводность в зависимости
от степени легирования и дефектности кристаллических подрешеток.
4.2. Исследование температурной зависимости
ширины линии ЭПР в
5. ИССЛЕДОВАНИЯ ФМР В СЕШОШЮТЕ РТУТИ.
5.1. Исследования ширины линии ФМР в.
5.2. Исследования угловой зависимости
резонансного поля ФМР ъ .
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА