Ви є тут

Роль неравновесных состояний и релаксационных процессов при лазерном формировании полупроводниковых слоев

Автор: 
Битюрин Юрий Анатольевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1985
Кількість сторінок: 
171
Артикул:
182272
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
Глава I. ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗРОЗИОННОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАШЫ,
ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ДЛЯ ЭПИТАКСИИ
1.1. Лазерная плазма. Образование и разлет в
вакуум.
1.2. Взаимодействие атомов и интенсивных атомар .
ных потоков с поверхностью твердого тела .
1.3. Экспериментальная установка и методы исследования .
1.4. Характеристики эрозионной лазерной плазмы
на стадии инерциального разлета в вакуум . Ъ
1.5. Взаимодействие продуктов лазерной эрозии
с поверхностью твердого тела
1.6. Заключение .
Глава П. ВЛШНИЕ ИНТЕНСИВНЫХ ИОННЫХ ПОТОКОВ НА
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СЛОЕВ,
ФОРМИРУЕМЫЕ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОЙ ЭПИТАКСИИ
2.1. Диффузия в полупроводниках, ускоренная корпускулярными потоками обзор работ
2.2. Экспериментальная установка и методы
измерений
23. Модель подповерхностных процессов, стимулированных интенсивными потоками эрозионной лазерной плазмы .
2.4. Диффузия мышьяка в кремний.
2.5. Радиационностимулированная компенсация проводимости в арсениде галлия. .
Стр.
2.6 Заключение.
Глава Ш. УЛУЧШЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПРИ
ИМПУЛЬСНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКЕ .
3.1. Две модели импульсного лазерного отжига . . .
3.2. Люминесценция арсенида галлия при импульсном
облучении лазером.
3.3. Нагрев широкозонных полупроводников наносекундными лазерными импульсами .
3.4. Кристаллизация в поле упругих деформаций . . .
3.5. Ориентирующее действие анизотропной деформации кристаллитов при росте пленок .
а селекция кристаллитов на стадии зародыгаеобразования
б рекристаллизация в твердой фазе.
3.6. Способы создания анизотропных деформаций . . .
3.7. Деформационные поля на поверхности подложки
при импульсном лазерном нагреве .
3.8. Экспериментальная проверка механизма ориентированного роста пленок
3.9. Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА