Исследование столкновительных и диффузионных процессов при ионной имплантации

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ
I. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПУТЕМ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
эксперимент, теория, компьютерное моделирование.
1.1. Рассеяние ионов поверхностями твердых тел.
1.1.1. Энергетические спектры обратнорассеянных ионов.
1.1.2. Влияние состояния поверхности на вид спектров обратнорассеянных ионов
1.1.3. Влияние температуры мишени на характер энергетического распределения обраткорассеянных ионов
1.1.4. Угловые спектры отраженных ионов.
1.1.5. Изучение поверхности с помощью отраженных ионов
1.2. Распыление поверхностей твердых тел
1.2.1. Теоретические модели ионного распыления сднокомпонентных твердых тел.
1.2.2. Теоретические модели распыления многокомпонентных мишеней
1.3. Радиационностимулировакная диффузия и сегрегация.
1.3.1. Механизмы ралиационкостимулированной диффузии
и сегрегации
1.3.2. Механизмы равновесной сегрегации.
1.3.3. Связь селективного распыления с сегрегацией
с сегрегацией и примесностимулированная сегрегация.
1.3.4. Влияние сопутствующих факторов на язление сегрегации
1.4. Теоретическое списание поведения макровключений.
1.5. Механизмы облегченной аморфизации при ионной имплантации.
1.6. Влияние аморфной структуры мишени на процессы сопутствующее ионной имплантации
1.7. Машинное моделирование ионной имплантации.
Выводы главы
II. МЕТОДЫ КОМПЬЮТЕРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПРОЦЕССОВ. СОПРОВОЖДАЮЩИХ ИОННУЮ ИМПЛАНТАЦИЮ
2.1. Компьютерные программы основанные на приближении парных столкновений.
2.1.1. Потенциалы взаимодействия
2.1.2. Длина свободного пробега.
2.1.3. Учет неупругих потерь энергии
2.1.4. Определение сорта атомапартнера.
2.1.5. Параметры столкновения.
2.1.6. Расчет траектории
2.1.7. Сечение упругого взаимодействия
2.1.8. Условие остановки атома
2.1.9. Пределы применимости приближения парных столкновений.
2.1 Влияние неучета квантовых эффектов при
описании взаимодействия атомов.
2.2. Метод молекулярной динамики ММД.
2.3. Решение диффузионных уравнений
Выводы главк.
III. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАДАЧ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ
3.1. Учет функции радиального распределения в методе МонтеКарло при решении задач обратного рассеяния ионов.
3.2. Применение метода МонтеКарло к анализу спектров
обратнорассенных ионов.Ю
Выводы главы.
IV. ЗАВИСИМОСТЬ ВНЕДРЕННОЙ ДОЗЫ ИМПЛАНТАНТА ОТ ПЛОТНОСТИ
ИОННОГО ПОТОКА.
4.1. Экспериментальные данные и их обсуждение.
4.2. Результаты компьютерного моделирования.
4.3. Теория движения макроскопических включений в кристаллических телах
4.4. Построение математической модели.
4.5. Результаты модельных расчетов
4.6. Обсуждение предложенной модели.
Выводы главе.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА