ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1.Общие сведения об электронной эмиссии из твердых тел
1.2. Эмиссия электронов из сенетоэлектрических материалов. Общие закономерности
1.3. Фото и гермостнмулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектриков.
г
1.4. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков стимулированная переменным электрическим полем
ГЛАВА II. ЭМИССИЯ ИЗ СЛАБЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ
.1. Описание методики исследования. Блоксхема и параметры экспериментальной установки.
.2. Некоторые сведения о слабых сегнетоэлектриках. Характеристика основных диэлектрических свойств гептагерманата лития.
.3. Эмиссия из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития.
ГЛАВА III. КИНЕТИКА ЭМИССИИ.
III. 1. Кинетика эмиссии слабого сегнетоэлектрика ие5.
1.2. Кинетика элсктростимулированной эмиссии кристаллов
ТГС различной степени дефектности
1.3. Влияние частоты переключающего поля на эмиссию из сегнетоэлектриков
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОЭРЦИТИВНОГО И ПОРОГОВОГО ПОЛЕЙ.
IV. 1. Особенности электрости.мулированной эмиссии из кристаллов ТГС различной степени дефектности.
IV.2. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из
сегнетоэлектрика триглицинсульфата.
1У.З. Теоретическое рассмотрение эмиссии из сегнстоэлектричс
ских кристаллов, стимулированной переключением.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922