Генерирование и отжиг радиационных дефектов в структурах металл-окись-полупроводник

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. Усовершенствование вольтфа рад ных методов
при исследовании облученных и имплантированных
МОП структур.
1.1 Усовершенствование кваз и статичной СУ методики
1.2 Использование высокочасто гной вольтфарадной СУ методики для исследования ионно имплантированных МОП структур.
1.3 Использование метода термостимулированного
освобождения заряда при исследовании МОП структур
Выводы
Глава 2. Влияние облучения гамма лучами,
высокоэнергетическими электронами и нейтронами на
СУ и ТОЗ характеристики МОП структур
2.1. Взаимодействие гамма лучей с МОП структурами
2.1.1. Облучение МОП структуры с разной толщиной окисла гамма
лучами
2.1.2. Влияние температуры жидкого азота на облучение МОП
структуры гамма лучами
2.2. Облучение МОП структуры высокоэнергетическими электронами
2.2.1. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на интерфейсные состояния ЗЯОг структур.
2.2.2. Влияние облучения высокоэнергетическими электронами на
толщину окисла вьЭЮг структур.
2.3. Облучение МОП структур нейтронами.
Выводы
ГЛАВА 3. Радиационные дефекты в
ионноимплантированных МОП структурах.
3.1. Изучение энергетического спектра радиационных дефектов в
МОП структурах, имплантированных ионами бора
3.2. Влияние дефектного поверхностного слоя на емкостные характеристики МОП структур.
3.3. Комбинированное воздействие имплантации и облучения на
характеристики МОП структур.
3.3.1.Влияние лазерного облучения на электрофизические свойства
МОП структур, имплантированных ионами бора
3.3.2. Облучение ионноимплантированнных ББОг структур
высокоэнергетическими электронами.
Выводы
ГЛАВА 4. Отжиг радиационных дефектов, полученных в результате ионной имплантации структур .
4.1. Термический отжиг радиационных дефектов МОП структур имплантированных ионами бора
4.2. Отжиг радиационных дефектов МОН структу р, имплантированных ионами бора и кислорода в водородной плазме .
4.3. Отжиг радиационных дефектов имплантированных МОН структур УФ облучением
4.4. Отжиг радиационных дефектов имплантированных МОП
структу р при облучении Хлучами
Выводы ЮЗ
Глава 5. Методы повышении радиационной стойкости
МОП структур
5.1. Увеличение радиационной стойкости МОП структур с
помощью гстерирования пластин.
5.2. Увеличение радиационной стойкости МОП структур методом
циклической обработки. 1 Ю
5.2.1.Влияние циклической обработки структур на концентрацию
поверхностных состояний на границе раздела и заряда в окисле. 0 5.2.2.Эффективность циклической обработки при МОП структурах с
разной толщиной окисла. 1
5.3. Увеличение радиационной стойкости МОИ структур с помощью послсокислительных охлаждений структур 88Ю2
Выводы
Заключение
Литература