ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава I. Сверхпроводящие свойства слоистых купратов и нового
сверх проводникового соединения МВ2
1.1. Кристаллическая структура и электронный знеретический
спектр слоистых купратов
1.2. Теоретические модели высокотемпературной
сверхпроводимости и их экспериментальное обоснование
1.3. Структура и сверхпроводящие свойства МВ2
Глава . Экспериментальная установка для регистрации ВАХ
джозефсоновских ВТСП контактов
2.1. Быстродействующая цифровая установка для записи 1V и сУбV характеристик джозефсоновских контактов на
микротрещине в ВТСП образцах
2.2. Экспериментальные методы туннельная спектроскопия, внутренняя туннельная спектроскопия, андреевская спектроскопия,
джозефсоновская спектроскопия.
2.3. Приготовление контактов на базе ВТСП соединений
Вг2.хЕахСиОб5, Вь5г2хТахСаСи8б и МйВ2.
Глава III. Определение сверхпроводящих параметров Вг2хГахСиОб i22.xxi8.6 и МВ2 с помощью
туннельной, андреевской и джозефсоновской спектроскопии
3.1. Исследование влияния допирования на сверхпроводящую щель у монокристалличсских образцов Вг2.хГахСаСи8 с помощью андреевской, туннельной и внутренней туннельной спектроскопии.
о
3.2. Исследование влияния допирования на взаимодействие переменного джозефсоновского тока с оптическими фононами в
В8г2хЬахСиб и В8г2.хЬахСаСи88
3.3 Определение сверхпроводящей щели в поликристаллических образцах МВ2 с помощью андреевской спектроскопии. Внутренний
эффект Джозефсона в МВ2
Глава IV. Сравнительный анализ сверхпроводящих свойств допированных образцов ВГ, ВГ и нового сверхпроводящего
соединения 1В2.
4.1Скейлинг сверхпроводящей щели и критической температуры
Тс у допированных кристаллов ВГЬа.
4.2. О возможном влиянии протяженной сингулярности ван Хова на ВАХ туннельных контактов на базе В8г2.хГахСаСи85 вблизи
оптимального допирования
4.3. ризнаки сильного электронфоионного взаимодействия у Вь
и ВГ поданным джозефсоновской спектроскопии
4.4. МуВ2 простой аналог купратных высокотемпературных
сверхпроводников
Выводы.
Литература
- Київ+380960830922