Оглавление
Индуцированный магнитным полем переход металл диэлектрик. Обэор.
Типы переходов металл диэлектрик
Локализация во флуктуационном потенциале
Квантовые поправки к проводимости вблизи ПМД. Методика измерении. Образцы
Низкотемпературные гальваномагнитные измерения. Приготовление и отбор образцов.
Индуцированный магнитным полем переход
металл диэлектрик в магнитном ноле в сильнолегированном компенсированном СЦ.хТс и 1п8Ь. Выбор модели
Определение критического поля перехода МД.
Анализ зависимости критического поля перехода
МД от степени компенсации
Локализация электронов в ФП и гальваномагнитные свойства сильнолегированных компенсироваинных кристаллов пСбх.хТе и пЛпБЬ
Особенности гальваномапштных свойств вещества
в окрестности перколяционного перехода металлдиэлектрик
Проводимость СсЦ.Де и 1пБЬ в сильном
магнитном иоле.
Аномальные магнитополевые зависимости
коэффициента Холла вблизи перехода МД
Г лава 5 Квантовые поправки к проводимости вблизи
перколяционного перехода металл диэлектрик.
Аномальное маптитосопротивление с двумя минимумами.
5.1 Квантовые поправки к проводимости вблизи
перколяционного перехода
5.2 Природа второго минимума магнитосопротивлення в 1п8Ь
5.3 Фазовая диаграмма Шапиро в системе с сильным ее
взаимодействием и аномальным ОМС
Глава 6 Андерсоновская локализация в компенсированном 1пЭЬ
6.1 Андерсоновская локализация в перколяционной
структуре
6.2 Диаграмма состояния электронной системы
сильнокомпенсированных полупроводников в
магнитном поле
Заключение
Литература
- Київ+380960830922