СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. вОвЭФФЕКТ НАНОСЕКУНДНЫЙ ОБРЫВ
СВЕРХПЛОТНЫХ ТОКОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ.
1.1. Характеристики 8эффекта
1.2. Разработка физикоматематической модели.
1.2.1. Описание физикоматематической модели.
1.2.2. Методика численного решения.
1.3. Процессы на стадии высокой проводимости.
1.3.1. Прямая накачка
1.3.2. Обратная накачка
1.4. Процессы на стадии отключения тока
1.5. Выводы
ГЛАВА 2. ДИНАМИКА ЭЛЕК ГРОИНОДЫРОЧНОЙ ПЛАЗМЫ В ДИОДЕ
2.1. Структура ЯОЯдиода.
2.2. Влияние профиля легирования структуры на процесс
отключения тока
2.3. Механизм равномерного распределения напряжения
2.4. Влияние параметров накачки
2.4.1. Обратная накачка
2.4.2. Прямая накачка
2.5. Выводы
ГЛАВА 3. СУБНАНОСЕКУНДНЫЙ ОБРЫВ ТОКА В вОЗДИОДЕ
3.1. Режим короткой накачки
3.1.1. Прямая накачка
3.1.2. Обратная накачка
3.2. Стадия отключения тока
3.3. Факторы, влияющие на реализацию субнаносекундного механизма обрыва тока
3.3.1. Структура диода.
3.3.2. Параметры обратной накачки
3.3.3. Параметры прямой накачки
3.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922