Температурная и концентрационная зависимости электронной структуры оксидов меди в рамках обобщенного метода сильной связи

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПРОБЛЕМА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХ ПРОВОДНИКОВ
ОКСИДОВ МЕДИ
1.1. Модель Хаббарда
1.2. Модель Хаббарда в представлении Хоператоров.
1.3. Г модель и ее обобщение.
1.4. 3х зонная рс модель.
1.5. Экспериментальные данные фотоэлектронной
спектроскопии с угловым разрешением.
1.6. Постановка задачи
ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ОКСИДОВ МЕДИ В МНОГОЗОННОЙ Р0 МОДЕЛИ В РАМКАХ ОБОБЩЕННОГО
МЕТОДА СИЛЬНОЙ СВЯЗИ
2.1. Гамильтониан и схема обобщенного метода сильной
2.2. Точная диагонализация СиОб кластера
2.3. Построение функции Ванье и преставление
операторов Хаббарда в многозонной рс модели.
2.4. Вывод дисперсионного уравнения и уравнения на
спектральную плотность
2.5. Описание пакета программы для расчета электронной структуры оксидов меди в обобщенном методе сильной связи
ГЛАВА 3. ЧИСЛЕННЫЙ РАСЧЕТ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ Си СЛОЯ В ОБОБЩЕННОМ МЕТОДЕ
СИЛЬНОЙ СВЯЗИ.
3.1. Расчет дисперсионных кривых и сравнение
полученных данных с данными спектроскопии.
3.2. Изменение зонной структуры СиО слоя с допированием.
ГЛАВА 4. ЧИСЛЕННЫЙ РАСЧЕТ СПЕКТРАЛЬНОЙ ПЛОТНОСТИ, ХИМПОТЕНЦИАЛА И ПОВЕРХНОСТИ
ФЕРМИ.
4.1. Расчет спектральной плотности и сравнение полученных данных с данными поляризованной
спектроскопии.
4.2. Температурная зависимость спектров для
22
4.3. Концентрационная зависимость химпотеициала
4.4.оверхность Ферми и ее эволюция с допированием.
РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ