Развитие ионно-пучковых методов для исследования нанокомпозитных гидрогенизированных алмазоподобных пленок и ультратонких многослойных структур

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. АНАЛИЗ ИСПОЛЬЗУЕМЫХ МЕТОДИК ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ПОКРЫТИЙ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.
1.1. Дифракционные методы.
1.2. Рамановская спектрометрия
1.3. ИКспектромстрия.
1.4. Фотоэлектронная спектрометрия.
1.5. Спектроскопия ядерного магнитного резонанса.
1.6. Спектрометрия электронных потерь энергии .
1.7. Традиционные методики ионнопучкового анализа и ЯОР.
1.8. Спектрометрия ЯО для анализа наноструктур.
1.9. Спектрометрия рассеяния ионов средних энергий для анализа наноструктур.
1 Выводы из обзора литературы и постановка задачи.
ГЛАВА 2. СТРУКТУРНЫЕ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТНЫХ АЛМАЗОПОДОБНЫХ ПОКРЫТИЙ. МЕТОДИКИ ОСАЖДЕНИЯ ПОКРЫТИЙ.
2.1. Структура и свойства пленок.
2.1.1. Основные типы углеродных структур
2.1.2. Оптические свойства.
2.1.3. Электрофизические свойства.
2.1.4. Внутренние напряжения в пленке.
2.1.5. Адгезия.
2.1.6. Трибологические свойства.
2.2. Методики осаждения покрытий
2.2.1. Методика магнетронного осаждения пленок типа i
2.2.2. Методика импульсного лазерного осаждения структур наноэлектроники
2.2.3. Преимущества и недостатки рассмотренных методик осаждения.
2.3. Выводы к Главе 2
ГЛАВА 3. УСКОРИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС КГI
3.1. Общая схема комплекса
3.2. Мониторирование пучка и позиционирование образцов
3.3. Тороидальный электростатический анализатор
3.4. Детектор
3.5. Электронный спектрометрический тракт
3.6. Выводы к Главе 3
ГЛАВА 4. РАЗВИТИЕ МЕТОДОВ ИОННОПУЧКОВОГО АНАЛИЗА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ.
4.1. Определение концентрации компонентов пленки i
4.2. Определение атомной и массовой плотности углеводородной матрицы
4.3. Влияние концентрации водорода на соотношение алмазоподобной и графитоподобной фаз в
исследуемых покрытиях.
4.4. Исследование кинетики водорода методами ионнопучкового анализа.
4.5. Выводы к Главе 4.
ГЛАВА 5. ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОПУЧКОВЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУР НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ.
5.1. Исследование перспективных МДПструктур типа I8iI03,53,8i и
перспективных структур полевого транзистора с металлическим затвором типа i.
5.2. Исследование перспективных структур магнитной памяти типа .
5.3. Выводы к Главе 5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. РАЗРАБОТАННЫЕ ПРОГРАММЫ ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ КОМПЛЕКСОМ КГI.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ