Ви є тут

Особенности электронного строения и поверхностных свойств полупроводниковых наноструктур для фотоники

Автор: 
Минибаев Руслан Филаритович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2010
Кількість сторінок: 
116
Артикул:
137387
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Оглавление
Введение
Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОВЗОР.
1.1 Свойства и применение материалов на основе оксида индия.
1.2 олупроводииковые соединения на основе халькогенидов кадмия С1Х Х8, 8е,
1.3 Поверхность силикагеля. Взаимодействие с молекулами
1.4 Методика расчетов из первых принципов
1.4.1 Теория Функционала плотности
1.4.2 Приближения для обменнокорреляционной энергии
1.4.3 Метод нсевдонотенциала
1.4.4 Метод учета дисперсионных взаимодействий
1.4.5. Схема проведения расчетов из первых принципов
Приближение кристаллических пластин.
1.5 Постановка задачи
1.6 Параметры расчетов.
Глава 2. Оксид индия 1пЮ3 и ГпгОзп
Глава 3. Свойства поверхности малоразмерных пленок на основе халькогенидов кадмия
саэ, саяе, сатс
2.1 Исследование поверхностных свойств напоразмерных пленок со структурой ядрооболочка.
2.2 Влияние стабилизирующего органического слоя на электронные свойства поверхности пленок
Глава 4. Исследование адсорбции простых молекул на поверхности силикагеля
4.1 Построение модели силикагеля.
4.2 Адсорбция простых молекул на поверхности силикагеля
Заключение
Список литературы