Содержание
Введение.............................................................. 8
Глава 1. Анализ литературных источников. Постановка задачи 15
1.1 Использование емкостного высокочастотного разряда для напыления тонких пленок.................................................... 15
1.1.1 Особенности напыления пленок сложного состава............... 15
1.1.2 Одностадийный процесс напыления-синтеза в емкостном высокочастотном разряде при повышенном давлении кислорода.......... 18
1.1.3 Напыление пленок с использованием импульсного разряда 21
1.2 Асимметричный емкостный высокочастотный разряд, его энергетические свойства и особенности........................................ 22
1.2.1 Вентильные свойства и постоянный потенциал плазмы........... 22
1.2.2 Асимметричный разряд........................................ 24
1.2.3 Контроль тока, напряжения и мощности асимметричного емкостного высокочастотного разряда................................ 25
1.3 Методы исследования емкостного высокочастотного разряда 26
1.3.1 Математическое моделирование............................. 27
1.3.2 Измерение тока, напряжения и исследование вольтамперных характеристик.................................................... 27
1.3.3 Исследование зондовтлми методами............................ 28
1.3.4 Исследование оптическими методами........................... 29
1.3.5 Спектроскопические исследования............................. 30
1.3.6 Исследование пространственного распределения интенсивности линий эмиссии.................................................. 31
1.3.7 Времяимпульсные методы исследований...................... 32
1.4 Выводы. Постановка задачи..................................... 33
Глава 2. Экспериментальная техника................................ 35
2.1 Конструкция и параметры разрядной камеры...................... 35'
2
I
2.2 Система измерения тока, напряжения и мощности емкостного высокочастотного разряда................................................... 37
2.3 Система исследования оптических характеристик плазмы............. 42
2.4 Система измерения зондовых характеристик......................... 47
2.5 Система измерения импульсных оптических характеристик.............. 48
Глава 3. Особенности энергетических характеристик асимметричного емкостного высокочастотного разряда............................... 54
3.1 Временные характеристики и эквивалентная схема асимметричного емкостного высокочастотного разряда.................................... 54
3.1.1 Анализ вольтамперных характеристик............................ 54
3.1.2 Эквивалентная схема емкостного высокочастотного разряда 56
3.1.3 Свойства асимметричного разряда и потенциал автосмсщения... 59
3.1.4 Временные зависимости тока и напряжения асимметричного разряда.......................................................... 63
3.1.5 Эквивалентная схема асимметричного емкостного высокочастотного разряда.................................................. 64
3.2 Ток и напряжение емкостного высокочастотного разряда в асимметричной камере...’...................................................... 67
3.2.1 Эквивалентная схема разрядной камеры. Влияние паразитных элементов, методы компенсации, согласования и учета.............. 67
3.2.2 Вычисление и анализ тока асимметричного емкостного высокочастотного разряда в напылительной камере........................ 72
3.3 Электрическая мощность асимметричного емкостного высокочастотного разряда........................................................ 80
3.3.1 Метод определения мощности по мгновенным значениям тока и напряжения..................................................... 80
3.3.2 Мгновенная и средняя мощность емкостного высокочастотного разряда.......................................................... 82
3.3.3 Контроль мощности по косвенным показателям и сравнение с разрядом постоянного тока........................................ 85
"У
-Э
3.4 Выводы............................................................ 86
Глава 4. Особенности пространственного распределения интенсивности линий эмиссии ионов и атомов рабочего газа, их связь с параметрами разряда при распылении железосодержащих электродов разного типа...................................................... 88
4.1 Пространственное распределение интенсивности линий эмиссии ионов рабочего газа для ряда значений электрической мощности, их обработка и анализ................................................ 88
4.2 Сравнительные исследования пространственного распределения интенсивности линий эмиссии ионов кислорода в разрядах постоянного тока, пульсирующем низкочастотном и высокочастотном............. 93
4.3 Энергетические зависимости пространственного распределения эмиссии атомов рабочего газа при распылении железосодержащих электродов.......................................................... 97
4.4 Пространственная аппаратная функция оптической измерительной системы и реальное пространственное распределение эмиссии плазмы... 103
4.4.1 Пространственная аппаратная функция оптической системы 103
4.4.2 Экспериментальное измерение пространственной аппаратной функции оптической системы..................................... 105
4.4.3 Пространственная разрешающая способность оптической системы, моделирование измеряемых зависимостей.................... 107
4.4.4 Частное решение обратной задачи для профилей эмиссии ионов кислорода, атомов кислорода и атомов железа.................... 111
4.5 Выводы........................................................... 115
Глава 5. Оптическая- эмиссия.' атомов распыленных металлов в плазме разряда, ее спектральные и пространственные характеристики для электродов разного типа.............................. 117
5.1 Сравнительные исследования спектров эмиссии при распылении сложнооксидных и металлических железосдержащих электродов 117
4
5.1.1 Спектры оптической эмиссии плазмы кислородного разряда при распылении электрода из феррита висмута и их особенности........ 117
5.1.2 Сравнение спектрального состава и интенсивностей линий при распылении электрода из феррита висмута и электродов из стальных сплавов........................................................... 120
5.2 Сравнительные исследования пространственного распределения интенсивности линий эмиссии атомов металла при распылении электродов разного типа................................................... 123
5.2.1 Отличие пространственного распределения интенсивности линий эмиссии рабочего газа и распыленного металла................ 123
5.2.2 Пространственные зависимости интенсивности эмиссии атомов железа при распылении электродов из нержавеющей стали и феррита висмута........................................................... 126
5.2.3 Пространственное распределение интенсивности линий эмиссии металлических компонент для широкого диапазона условий разряда... 131
5.3 Выводы.......................................................... 133
Глава 6. Влияние амбиполярпон диффузии на профили оптической эмиссии атомов металлов распыленного электрода...................... 134
6.1 Модель пространственного распределения эмиссии атомов металлов 134
6.1.1 Анализ механизмов возбуждения оптической эмиссии распыленных компонент плазмы разряда................................. 134
6.1.2 Основные соотношения....................................... 136
6.1.3 Расчет распределения концентрации электронов вдоль оси разряда......................................................... 138
6.1.4 Анализ экспериментальных результатов, их сравнение с расчетными............................................................ 139
6.2 Экспериментальная проверка модели двухзондовым методом 144
6.2.1 Методика эксперимента....................................... 144
6.2.2 Анализ экспериментальных результатов для кислородного разряда............................................................ 145
5
6.2.3 Анализ экспериментальных результатов для разряда в аргоне..... 148
6.3. Экспериментальная проверка модели методом измерения продольной напряженности электрического поля.............................. 152
6.3.1 Обоснование метода, модельные расчеты, методика эксперимента.......................................................... 152
6.3.2 Анализ экспериментальных результатов в кислородном и аргоновом разрядах................................................. 154
6.3.3 Влияние амбиполярной диффузии на процесс напыления пленок 159
6.4 Выводы............................................................ 160
Глава 7. Сравнительная динамика распыления компонентов электрода в импульсном емкостном высокочастотном разряде. Временные и энергетические зависимости...................................... 162 ,
7.1 Энергетические параметры асимметричного импульсного высокочастотного разряда...................................................... 162
7.2 Временные зависимости эмиссии ионов кислорода при распылении железосодержащих электродов........................................... 166
t
7.3 Временные зависимости эмиссии распыленного металла при использовании электродов из сложных оксидов и металлического сплава 168
7.4 Связь динамики оптической эмиссии с электрическими характеристиками разряда....................................................... 172
7.5 Пространственные характеристики временной динамики эмиссии распыленных компонент электрода....................................... 175
7.6 Выводы............................................................ 178
Заключение...............................................•............ 179
Список литературы..................................................... 181
Приложение............................................................ 196
6
Перечень условных сокращений
ВЧ - высокочастотный
ВЧР - высокочастотный разряд
ЕВЧР - емкостный высокочастотный разряд
ОС - отрицательное свечение
ФРЭЭ - функция распределения электронов по энергиям
АЦП - аналого-цифровой преобразователь
АЧХ - амплитудно-частотная характеристика
СПЗ - слой пространственного заряда
РПТ - разряд постоянного тока
ОЭС - оптическая эмиссионная спектроскопия
ФЭУ - фотоэлектронный умножитель
ВАХ - вольтамперная характеристика
КСВ - коэффициент стоячей волны
ПРИЛЭ - пространственное распределение интенсивности линий эмиссии
ТП - тонкие пленки
ТПСО - тонкие пленки сложных оксидов
СВЧ - сверхвысокочастотный
MEMS — мехаио-электрические микросенсоры
PZT, ЦТС - цирконат - титанат свинца
НС - нержавеющая сталь
ПТ - постоянный ток
ПНЧР - пульсирующий низкочастотный разряд
АФ - аппаратная функция
ПАФ - пространственная аппаратная функция
УФ - ультрафиолетовый
ИК - инфракрасный
BST - титанат бария - стронция
СО - сложный оксид
7
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы.
Высокочастотный разряд широко используется для изготовления различных устройств микроэлектроники. Наиболее успешным технологическим применением емкостного высокочастотного разряда (ЕВЧР) является напыление тонких пленок из диэлектрических материалов [1-5]. В частности, рекордное качество тонких пленок сложных оксидов (ТПСО) с сегнетоэлектрическими свойствами удается получить при повышенном (около 1 Тор) давлении кислорода [1,5]. Получены результаты при напылении ТПСО из феррита висмута, обладающего свойствами мультиферроика [6]. Особенность технологии состоит в том, что синтез пленок происходит в процессе напыления без дополнительной обработки. Подложку помещают в зону отрицательного свечения, основные процессы сосредоточены в объеме существенно неоднородной плазмы в приэлектродной области.
В процессе напыления ТПСО в ЕВЧР проявляется ряд особенностей разряда, не характерных для других применений. Геометрия разрядной камеры, продиктованная технологическими потребностями, приводит к высокой асимметрии разряда вследствие малой площади распыляемого электрода, что отражается на параметрах разряда [7]. Происходит интенсивное разрушение многокомпонентного ВЧ электрода и распространение распыленного материала по всему объему' камеры. Диэлектрические или металлические подложки, на которых осаждаются пленки, находятся под плавающим потенциалом и подвергаются воздействию убегающих электронов. В качестве рабочего газа используется электроотрицательный химически активный кислород, входящий также и в состав распыляемого сложного оксида (СО) [1]. Неоднородная плазма с большим числом компонентов и высокой плотностью мощности интенсивно излучает в широком диапазоне спектра [1,8]. Распределение излучения линий эмиссии в пространстве напылительной камеры имеет ряд особенностей [1,2,4], отражающих структуру и свойства разряда. Развитие методов диагностики, не
8
требующих проникновения в рабочий объем, имеет важное технологическое значение [1,8].
Несмотря на значительный прогресс в изготовлении пленок, многие вопросы, связанные с происходящими разрядными процессами, еще неясны. Недостаточно развита техника измерения энергетических параметров ЕВЧР с учетом влияния всех электрических элементов конструкции напылительной установки [9]. Остается открытым вопрос о принципиальном отличии осевых распределений интенсивности эмиссии распыленных атомов металла и ионов кислорода [1,2,4]. Не исследовано влияние подложки на пространственное распределение излучения и структуру ЕВЧР в целом. Не установлены собственные характеристики оптической системы, используемой для регистрации осевых распределении интенсивности излучения компонент плазмы. Накоплены результаты изучения оптических характеристик плазмы с использованием сегне-тоэлектрических СО, но еще не исследовалось распыление перспективных СО, обладающих свойствами мультиферроика. Чтобы установить соответствия между различными свойствами ЕВЧР, наиболее подходящими могут оказаться
\
сравнительные исследования с использованием как сложнооксидных, так и металлических электродов в различных средах. До настоящего времени при ВЧ распылении СО исследовались только стационарные режимы разряда и не затрагивались вопросы динамики плазменных процессов. Между тем импульсный режим имеет ряд преимуществ при напылении пленок простого состава и одновременно является методом исследования временных характеристик плазмы разряда.
Таким образом, задача исследования асимметричного емкостного высокочастотного разряда при распылении в кислороде сложных оксидов, в частности со свойствами мультиферроика, в настоящее время является актуальной-и представляет несомненный научный и практический интерес.
В связи с этим в качестве объекта исследования выбран кислородный емкостной высокочастотный разряд в технологической камере напыления тонких пленок сложных оксидов.
9
Исходя из этого, целью настоящей работы являлось:
1. Исследование свойств разряда, проявляющихся в процессе напыления тонких пленок сложных оксидов.
2. Установление энергетических характеристик асимметричного кислородного емкостного высокочастотного разряда в технологически значимом диапазоне давлений и мощностей.
3. Комплексные исследования плазмы разряда при распылении феррита висмута - сложного оксида со свойствами мультиферроика.
4. Физическая интерпретация особенностей пространственного распределения интенсивности эмиссии компонент плазмы разряда.
5. Исследование влияния подложки на распределение излучения плазмы и электрическое поле разряда.
6. Исследование динамики распыления электродов из сложного оксида и определение возможных режимов импульсной технологии напыления.
Научная задача состоит в разработке методов исследования электрических характеристик асимметричного емкостного ВЧ разряда и оптических свойств излучения плазмы, алгоритмов обработки измеряемых величин, исследовании возникающих закономерностей и физической интерпретация полученных результатов.
Научная новизна определяется поставленными задачами, представленными методами их решения и впервые полученными результатами:
1. Впервые проведены комплексные исследования ЕВЧР при распылении в кислороде феррита висмута, включая энергетические характеристики, спектральный состав излучения плазмы, пространственное распределение интенсивности линий эмиссии рабочего газа и распыленного металла с учетом его асимметрии (различий в форме и составе электродов) Выявлены ранее не описанные особенности.
10
2. Предложена и обоснована модель формирования пространственного распределения интенсивности линий эмиссии металла, входящего в состав распыляемого электрода, впервые объяснившая известное явление и подтвержденная экспериментально.
3. Впервые проведено исследование распыления сложного оксида в импульсном режиме ЕВЧР. Получены экспериментальные временные зависимости интенсивности эмиссии ионов кислорода и атомов металлов. Показано принципиальное отличие механизмов образования эмитирующих центров и возбуждения для ионов кислорода и атомов железа. Выявлена временная связь интенсивности эмиссии атомов железа с потенциалом автосмещения активного электрода и диффузией распыленного вещества. Получены основные параметры динамики распыления и транспортировки материала электрода в импульсном режиме ЕВЧР, что может явиться базисом для разработки импульсной технологии напыления тонкггх. пленок сложных оксидов
4. Предложен и отработан метод математической обработки данных высокоскоростного двухканального АЦП, позволяющий многократно повысить разрешающую способность по времени и точность регистрации ВЧ сигналов. Впервые проанализированы гармонические составляющие тока емкостного ВЧ разряда, выявлены причины их возникновения, обнаружено доминирование высших гармоник в сильноточном асимметричном разряде.
5. Предложен и испытан метод экспериментального исследования амби-полярной диффузии в асимметричном разряде в продольном направлении путем измерения напряженности электрического поля. Впервые получены результаты, доказывающие смену знака суммарного поля подложки и поля разряда вблизи подложки при технологически значимых параметрах разряда
6. Предложен и применен метод сравнительных исследований ЕВЧР при использовании сложнооксидных и металлических электродов. Полученные результаты подтверждают достоинства метода для исследования энергетических и оптических свойств разряда. Подтверждена применимость аналогий ЕВЧР и разряда постоянного тока в асимметричной конфигурации.
11
7. Предложен метод определения пространственной аппаратной функции многощелевой оптической системы и ее последующего учета для анализа пространственного распределения интенсивности эмиссии различных компонент плазмы разряда.
Научная н практическая значимость.
Научная значимость работы заключается в развитии теории асимметричного емкостного высокочастотного газового разряда при интенсивном распылении материала электрода.
Практическая ценность работы определяется созданными средствами диагностики разряда, обеспечивающими оптимальный контроль параметров в процессе напыления тонких пленок сложных оксидов. Выполнены расчеты измерительных систем, созданы и испытаны измерительные устройства, отработаны алгоритмы обработки сигналов. Определены важные технологические параметры.
Полученные результаты использованы в ПИИ физики ЮФУ и ЮНЦ РАН при создании и эксплуатации технологических установок для напыления тонких пленок сложных оксидов в асимметричном емкостном высокочастотном кислородном газовом разряде, а также в учебном процессе при подготовке студентов физического факультета ЮФУ.
Поставленные в диссертации задачи решались в ходе выполнения ряда проектов, в частности гранта РФФИ № 06-08-00419 и темы ЮФУ №05/6-180. Внедрение результатов подтверждено соответствующими документами.
12
Основные положения и результаты, выносимые на защиту.
1. Сильноточный асимметричный емкостный высокочастотный разряд с рабочим давлением около 1 Тор является многочастотным, основная причина появления гармоник заключается в импульсах тока проводимости, протекающих во время касания электронным облаком ВЧ электрода.
2. При распылении электрода из феррита висмута в плазме кислородного емкостного ВЧ разряда обнаружены две линии эмиссии атомов железа 306,7 нм и 613,7 нм с аномально высокой яркостью, в 4 и более раз выше, чем для других линий железа. Эти же линии практически отсутствуют при распылении металлических железосодержащих материалов в разряде с аналогичными параметрами.
3. Осевое распределение интенсивности эмиссии атомов распыленных металлов в области отрицательного свечения, характеризующееся монотонным снижением к нулевому значению у подложки, являегся следствием изменения концентрации электронов в результате амбиполярной диффузии в продольном направлении, при этом возбуждение атомов распыленного металла осуществляется равновесными электронами плазмы.
4. Установлено, что время достижения максимального значения интенсивности эмиссии распыленных атомов металла в асимметричном сильноточном емкостном ВЧ разряде при давлении кислорода около 1 Тор более 100 мке, в то время как для ионов рабочего газа оно составляет менее 10 мкс. Временные характеристики эмиссии атомов металла связаны с формированием потенциала автосмещения и диффузным распространением распыленного вещества в объеме камеры.
13
Апробация
Результаты диссертации докладывались на Симпозиуме «Лазеры на парах металлов» (ЛПМ-2008), Лоо, 22-26 сентября 2008; VI Всероссийской конференции по рентгеноспектральному анализу, Краснодар, 5-10 октября 2008; I-IV ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов базовых кафедр Южного Научного Центра РАН, г. Ростов-на-Дону, 2005-2008 гг.; на международном симпозиуме “MultifeiToics-2”, Лоо, 23-28 сентября 2009.
Публикации
По материалам диссертационной работы опубликовано 14 работ, (общим объемом 1,2 пл., в том числе лично соискателю принадлежит 0,8 п.л.), из которых 2 статьи [1,2] (0,35 п.л., в том числе лично соискателю принадлежит 0,3 п.л.), опубликованы в ведущих рецензируемых научных журналах и изданиях, определенных Высшей аттестационной комиссией, 2 статьи в журналах (0,35 п.л., в том числе лично соискателю 0,2 п.л.), 10 тезисов докладов в сборниках трудов научных конференций и симпозиумов (0,4 п.л., в том числе лично соискателю принадлежит 0,3 п.л.).
Объем и структура
Диссертация состоит из введения, семи глав и заключения. Она содержит 198 страниц машинописного текста, включая 121 рисунок и список цитируемой литературы из 153 наименований.
14
Глава 1. Анализ литературных источников. Постановка задачи
В данной главе дан краткий обзор литературы, посвященной свойствам плазмы, образующейся в асимметричном разряде при распылении электродов различного состава. На основании анализа имеющихся данных и с учетом цели исследования в конце главы формулируются конкретные задачи диссертационной работы.
1.1 Использование емкостного высокочастотного разряда для напыления тонких пленок
1.1.1 Особенности напыления пленок сложного состава
Одним из важнейших применений ЕВЧР является его использование в технологии напыления тонких пленок [1,2,4,10-17]. Еще на ранней стадии исследования ВЧ разряда [18,19] было обнаружено интенсивное распыление материала электродов в гамма-режиме, который и используется при напылении пленок. ВЧР по сравнению с РПТ обладает рядом важных преимуществ: большая плотность тока [20], меньшая склонность к дугообразованию, устойчивость к окислению материала катода в агрессивной среде [21]. Но важнейшим для технологии свойством ВЧ разряда является его эффективность при распылении диэлектрических материалов [22,23]. Именно напылению непроводящих материалов, таких как сложные оксиды, ВЧ технология обязана своим широким развитием [1,2,4,10-14].
В последние годы наблюдался значительный прогресс в этой области [1,12-15]. По-сравнению с другими методами изготовления, ТПСО, напыляемые в ЕВЧР, имеют несомненные достоинства при сравнительно невысокой стоимости оборудования [1,12,14]. Получены монокристаллические пленки с высочайшей однородностью, гладкостью поверхности, максимальной упорядоченностью атомов [1,13]. Созданные при помощи ЕВЧР сегентоэлектрические пленки BST и PZT успешно применяются в микроэлектронике [1,13,17,24] для изготовления различных устройств, таких как перестраиваемые СВЧ резонаторы [24] и фазовращатели [1,12], оптические модуляторы [25]. Пленки PZT ис-
15
пользуются также для создания датчиков деформации [26,27], МЕМ8-приборов [28]. В последние годы наметился огромный интерес к материалам со свойствами мультиферроика [29,30,31], особенно в тонкопленочной форме [32,33]. Уже есть определенные успехи в ВЧ напылении ТГ1 из наиболее популярного мультиферроика - феррита висмута [6,34].
Наиболее простым является процесс разрядного напыления однокомпонентных пленок, которые в частности могут быть из кремния или металлов [21,35,36]. В качестве рабочего газа чаще всего используются аргон и силан. Развитие технологии шло по пути повышения чистоты процесса, что требовало понижения рабочего давления. Но при уменьшении давления снижается скорость напыления, стремление увеличить производительность привело к использованию магнетронов [15,37,38]. С использованием однокомпонентных электродов можно приготовить и двухкомпонентные пленки, например простые оксиды, применяя так называемое реактивное напыление [16,39]. Попытки газоразрядного напыления сложных оксидов с использованием набора однокомпонентных электродов [40]; перспектив не имеют, а метод молекулярно-лучевой эпитаксии чересчур дорог для массового производства [3]. Чтобы создать многокомпонентные пленки приходится распылять в ВЧ разряде керамические электроды состава идентичного или близкого к требуемому составу пленки.
Технология нанесения многокомпонентных тонких пленок существенно усложняется, прежде всего, из-за необходимости сохранения стехиометрии исходного материала в получаемой пленке [3,41,42]. Атомы элементов, состав-ляющих распыляемый электрод, имеют разную энергию связи, разную летучесть, разную степень прилипания к подложке и стенкам камеры.. Известна повышенная испаряемость свинца при распылении керамики ЦТС. Чтобы сохранить стехиометрию в пленке, авторы [42,43] предлагают вводить излишек -свинца в распыляемый состав. Но тогда исходная керамика является смесью оксида свинца и сегнетоэлектрика, и ее параметры сложно контролировать.
Вторая сложность связана с тем, что в результате бомбардировки ионами, ускоренными в СПЗ, разрушается поверхностный слой электрода из сложного
16
оксида и освобождаемый кислород смешивается с рабочим газом и может быть удален из камеры в процессе откачки. Необходимо создавать дополнительные условия, чтобы нанесенная на подложку смесь атомов образовала нужное химическое соединение. Для этого полученную в результате напыления композицию обрабатывают в атмосфере кислорода при высокой температуре для образования сложного оксида [40,43,44]. И, наконец, третья проблема заключается в том, что даже при соблюдении требуемого состава важно обеспечить формирование определенной кристаллической структуры, от которой в конечном итоге и зависят параметры пленки [43].
Большинство зарубежных и ряд отечественных исследователей используют технологию магнетронного ВЧ напыления [37,44,45]. Магнетроны позволяют даже при низком (около 0,01 Тор) давлении значительно повысить интен-. сивность поступления материала электродов в плазму за счет увеличения суммарной скорости заряженных частиц под действием внешнего магнитного поля [15,37] и увеличения энергии ионов [37]. Недостатки технологии связаны с невозможностью создать однородное магнитное поле, что приводит к неравномерности распыления электрода по зонам и неоднородности плазмы. Приходится конструировать достаточно сложные магнитные системы и вращать их, появились даже работы, в которых показаны преимущества магнетронных систем с нулевым магнитным полем на поверхности электрода [45]. Неоднородность плазмы вынуждает разносить в пространстве зоны распыления материала и напыления пленок, при этом подложка зачастую располагается не параллельно электроду, а под углом к ней и даже перпендикулярно [3,14,46]. Следствием этого кроме увеличения габаритов является проблема переноса распыленного материала с соблюдением стехиометрии. Дополнительная трудность магнетронного напыления связана с низким (менее 0,1 Тор) давлением рабочего газа, что приводит к потере кислорода, входящего в сложный оксид [44].
17
- Київ+380960830922