Улучшение энергетических параметров сверхкоротких импульсов, формируемых генераторами на основе диодов с накоплением заряда

Содержание
Список используемых сокращений
Введение
Глава 1. Исследование процессов в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда в режиме переключения.
1.1. Процессы накопления неосновных носителей заряда в полупроводниковой структуре диода
1.2. Параметры диодов с накоплением заряда.
1.3. Процессы, протекающие в полупроводниковой структуре диода с накоплением заряда при генерации сверхкоротких импульсов.
1.4. Экспериментальное исследование переходных процессов в диодах с накоплением заряда в режиме переключения.
1.5. Методика измерения параметров ДНЗ.
Выводы.
Глава 2. Моделирование диодов с накоплением заряда.
2.1. Анализ методов моделирования ДНЗ
2.2. Математическая модель ДНЗ, учитывающая процессы рекомбинации и утечки носителей зарядов в сильнолегированные области полупроводниковой стуктуры.
2.3. Моделирование процессов в полупроводниковой структуре ДНЗ при помощи САПР
2.4. Определение модельных параметров ДНЗ по экспериментальным данным.
2.5. Определение модельных параметров диода с накоплением заряда 2А9Б,.
Выводы.
Глава 3. Генераторы сверхкоротких импульсов с индуктивным
накопителем энергии
3.1. Схемы генерации СКИ. Процессы, ограничивающие амплитуду и частоту повторения генерируемых СКИ
3.2. Генерация СКИ с длительным накоплением заряда
3.3. Способ генерации СКИ с одновременной накачкой заряда ДНЗ и накоплением магнитной энергии.
Глава 4. Тестирование стойкости элементной базы к воздействию импульсных помех
4.1. Обратимые отказы, возникающие при воздействии импульсной помехи на МШУ
4.2. Методика автоматизированного тестирования полупроводниковой электронной элементной базы на стойкость к импульсным воздействиям
4.3. Экспериментальное исследование стойкости полевых транзисторов с затвором Шоттки
Выводы.
Заключение
Библиографический список использованной литературы.
Список используемых сокращений
АИС автоматизированный измерительный стенд
ВАХ вольтамнерная характеристика
ВГДЦ верхняя граница динамического диапазона
ГОСТ государственный стандарт
ДНЗ диод с накоплением заряда
ДРВ диод с резким восстановлением обратного сопротивления
МШУ мапошумящий усилитель
ПТШ полевой транзистор с затвором Шоттки
РЭА радиоэлектронная аппаратура
РЭС радиоэлектронное средство
САПР система автоматизированного проектирования
СВЧ сверхвысокие частоты
СКИ сверхкороткие импульсы
ЭМС электромагнитная совместимость
v i
Введение
Диссертационная работа посвящена теоретическому и экспериментальному исследованию процессов в полупроводниковой структуре диодов с накоплением заряда ДНЗ в режиме переключения 14, способов генерации сверхкоротких импульсов СКИ на основе их 5, а также развитию методики экспериментального тестирования полупроводниковой элементной базы малошумящих усилителей МШУ по критерию стойкости к воздействию СКИ .
Актуальность