Физические механизмы повреждения интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
1 Анализ состояния вопроса и постановка задач исследований
1.1 Физические механизмы нарушения работоспособности интегральных микросхем при воздействии импульсным радиоизлучением.
1.2 Выводы.
1.3 остановка задач диссертационных исследований
2 Экспериментальные исследования нарушения работоспособности интегральных микросхем
2.1 Методика проведения экспериментальных исследований.
2.2 Исследование эффектов воздействия радиоизлучения па интегральные микросхемы.
2.3 Результаты исследований повреждения ИМС
2.4 Статистическая обработка результатов
экспериментальных исследований.
2.5 Физикотехнический анализ поврежденных
интегральных микросхем
2.6 Экспериментатьные исследования воздействия радиоизлучения на СВЧ микросхемы.
2.7 Выводы
3 Тепловая модель повреждения интегральных микросхем
3.1 Описание модели, основные результаты
3.2 Полиимпульсный режим тепловыделения.
3.3 Тепловой пробой рппереходов с различной геометрией
3.4 Выгорание токоведущих линий.
3.5 Оценка интенсивности радиоизлучения приводящего к повреждению микросхем.
3.6 Выводы
4 Статистическая модель повреждения интегральных
микросхем импульсным радиоизлучением
4.1 Результаты экспериментальных исследований.
4.2 Модель накопления повреждений.
4.3 Выводы
Заключение
Список литературы