Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена

2
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ........................................................8
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ..............................14
1.1. Реальная структура тонкопленочных кристаллов................14
1.1.1. Реальная структура кристаллов.............................14
1.1.2. Реальная структура тонкопленочных кристаллов. Селен.......15
1.1.3. Влияние температуры кристаллизации на реальную с труктуру
тонкопленочных кристаллов........................................16
1.2. Формирование межблочных границ в тонкопленочных кристаллах .... 17
1.2.1. Релаксационно-деформационный способ формирования граниі і.18
1.2.2. Влияние температуры кристаллизации на процесс формирования границ......................................................... 19
1.2.3. Асимметрия образования и кристаллогеометрических параметров межблочных границ.............................................. 20
1.3. Ротационное искривление решетки тонкопленочных кристаллов...22
1.3.1. Ротационное искривление решетки вокруг одного направления.22
1.3.2. Искривление решетки вокруг двух взаимно-перпендикулярных направлений......................................................24
1.3.3. Кристаллы с решеткой искривленной вокруг трех взаимноперпендикулярных направлений.....................................26
1.4. Описание искривления решетки тонкопленочных кристаллов......27
1.4.1. Поверхность ориентировок как способ наглядного представления и изучения реальной структуры тонкопленочных кристаллов............28
1.4.2. Количественное описание искаженности кристаллической решетки тонкопленочных кристаллов........................................29
1.4.3. Разориентация векторов обратной решетки. Кривизна решетки кристалла........................................................31
ГЛАВА 2. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ.33
з
2.1. Постановка задачи..............................................33
2.2. Методика исследований..........................................35
2.2.1. Получение тонких аморфных пленок селена......................35
2.2.2. Методика электронно-микроскопических исследований............36
2.2.3. Методика оптических исследований.............................38
ГЛАВА 3. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА, РАСТУЩИХ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ 180-160°С...........................40
3.1. Межблочные границы вышедшие на фронт роста кристалла с изменяющимся знаком вектора разориентировки.........................40
3.1.1. О формировании межблочных ГРАНИЦ в 'ГОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНА..............................................................40
3.1.2. Анализ картин контуров в кристаллах с границами вышедшими на фронт роста кристалла. Изменение порядка чередования изгибных контуров вдоль границы..............................................44
3.1.3.0 характере изменения в порядке чередования изгибных контуров вдоль границы кручения вышедшей на фронт роста кристалла............47
3.1.4. Изменение знака вектора разориентировки вдоль межблочных границ КРУЧЕНИЯ, ВЫШЕДШИХ НА ФРОНТ РОСТА КРИСТАЛЛА.........................49
3.2. Оборванные границы с изменяющимся знаком вектора разориентировки.....................................................57
3.2.1. Анализ картин изгибных контуров в кристаллах с оборванными границами. Изменение порядка чередования контуров...................58
3.2.2. Изменение знака вектора разориентировки вдоль оборванных границ с изменением порядка чередования изгибных контуров..................60
3.2.3. Особенности разориентировок решетки вдоль оборванной границы кручения с изменяющимся знаком вектора разориентировки..............61
3.2.4.0 нулевой разориентировке решетки вдоль межблочных границ кручения............................................................62
4
3.3. Упругое ротационное искривление решетки тонкопленочных КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА................................................63
3.3.1. Анализ картин изгибных контуров исходных кристаллов.......63
3.3.2. Упругое ротационное искривление решетки кристаллов селена.64
3.3.3. Упругое ротационное искривление решетки в кристаллах с
ЗАРОЖДАЮЩИМИСЯ границами.........................................69
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 3................................................70
ГЛАВА 4. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА, РАСТУЩИХ В АМОРФНЫХ ПЛЕНКАХ ПРИ ТЕМПЕРАТУРЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ 150°С.............................................72
4.1. Реальная структура кристаллов селена с линейной веерообразной картиной контуров, растущих в аморфных пленках при температуре кристаллизации 150°С.............................................73
4.1.1. Картина изгибных экстинкционных контуров исследуемых кристаллов.......................................................73
4.1.2. Электронографические исследования реальной структуры кристаллов с линейной веерообразной системой изгибных контуров...74
4.1.3. Исследование реальной структуры кристаллов с помощью метода ИЗГИБНЫХ КОНТУРОВ................................................83
4.1.4. Исследование кристаллов с линейной веерообразной системой
изгибных контуров в гониометре...................................87
4.2. Кристаллы с нелинейной веерообразной системой изгибных экстинкционных контуров..........................................88
4.2.1. Электронографические исследования реальной структуры кристаллов с нелинейной веерообразной системой изгибных контуров.90
4.2.2. Исследования реальной структуры кристаллов с нелинейной веерообразной системой контуров на электронно-микроскопическом изображении с помощью метода изгибных контуров...................96
5
4.3. Формирование межблочных границ в процессе роста тонкопленочных кристаллов селена при 150°С.....................................97
4.3.1. Межблочные границы в периферийной части кристалла. Прерывистые границы.........................................................98
4.3.2. Изменение знака вектора разориентировки границ, сформировавшихся в кристаллах, выросших в аморфной пленке селена при температуре 150°С..............................................105
4.3.3. К вопросу о формировании боковых границ.................106
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 4..............................................108
ГЛАВА 5. О ИЗМЕНЕНИИ ГЕОМЕТРИИ РЕШЕТКИ
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА...............................110
5.1.0 геометрии решетки тонкопленочных кристаллов селена.......110
5.1.1. Геометрия поверхности ориентировок тої 1КИХ кристаллов селена и геометрия ИХ РЕШЕТКИ...........................................110
5.1.2. Непрерывность разориентации искаженной решетки тонкопленочных кристаллов селена. Брэгговские максимумы.......................117
5.1.3. Изменение геометрии искривленной ротационным образом решетки
ТОНКОІШЕНОЧНОГо кристалла селена.............................. 122
5.2. Методика определения компонент тензора кривизны решетки тонкопленочных кристаллов селена...............................124
5.2.1. Геометрия решетки тонкопленочных кристаллов селена как
ГЕОМЕТРИЯ ДВУМЕРНОГО РИМАНОВА 1ІРОСТРАИСТВА................... 124
5.2.2. Определение кривизны решетки тонких кристаллов селена искривленной ротационным ОБРАЗОМ...............................125
5.2.3. Методика экспериментального определения кривизны решетки тонких кристаллов селена, искривленной ротационным образом 127
5.3. Экспериментальное определениеримАновой кривизны решетки тонкопленочных кристаллов селена искривленной ротационным образом ...............................................................131
6
5.3.1. Экспериментальное определение римановой кривизны решетки
ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА, НА ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКОМ
ИЗОБРАЖЕНИИ КОТОРЫХ НАБЛЮДАЕТСЯ НЕЛИНЕЙНАЯ ВЕЕРООБРАЗНАЯ СИСТЕМА ИЗГИБНЫХ КОНТУРОВ............................................. 131
5.3.2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ РИМАНОВОЙ КРИВИЗНЫ РЕШЕТКИ СЛАБОСЕКИРОВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА........................... 132
5.3.3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ РИМАНОВОЙ КРИВИЗНЫ РЕШЕТКИ
СЕКИРОВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА.................................135
ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 5..............................................137
ГЛАВА 6. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ИССЛЕДОВАНИЯ РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА.........................................................139
6.1. РЕАЛЫ 1ЫЕ СТРУКТУРЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА НОВОГО ТИПА ...............................................................139
6.1.1. Ротационное искривление решетки гонкоплш ючр 1ых кристаллов СЕЛЕНА........................................................ 139
6.1.2. Классификация исследованных структур....................144
6.1.3. Межблочные границы с изменяющимся знаком вектора
разориентировки................................................146
6.2. Ротационное искривление решетки тонкопленочных кристаллов 149
6.2.1. Анализ картин изгибных контуров. Непрерывная равномерная релаксация упругого искривления решетки кристаллов.............149
6.2.2. Линейная и нелинейная неравномерная релаксация упругого ротационного искривления решетки кристаллов. Классификация типов релаксации изгиба решетки кристаллов селена....................153
6.2.3. Особенности формирования межблочных границ в тонкопленочных кристаллах селена..............................................156
6.2.4. Изменение знака вектора разориентировки.................156
7
6.2.5. О МЕХАНИЗМЕ ОБРАЗОВАНИЯ МЕЖБЛОЧНЫХ ГРАНИЦ В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ
КРИСТАЛЛАХ СЕЛЕНА.............................................. 1 57
6.3. РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА С РИМА НОВОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ РЕШЕТКИ............................................. 161
6.3.1. Исходная реальная структура кристаллов селена для формирования СТРУКТУРЫ С РИМАНОВОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ РЕШЕТКИ...................... 161
6.3.2. Тензор изгиба-кручения и анализ причин формирования реальной
СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНА С РИМАНОВОЙ ГЕОМЕТРИЕЙ РЕШЕТКИ..... 164
6.3.3. Явления релаксации упругого ротационного искривления решетки тонкопленочных кристаллов селена И ИЗМЕНЕНИЕ ГЕОМЕТРИИ их решетки от ЕВКЛИДОВОЙ К РИМАНОВОЙ С УЧЕТОМ ПОЛИМЕРНОГО строения кристаллов.... 172
6.3.4. О ПРИЧИНАХ РОТАЦИОННОГО ИСКРИВЛЕНИЯ РЕШЕТКИ КРИСТАЛЛОВ
ГЕКСАГОНАЛЬНОГО СЕЛЕНА ВОКРУГ ОСИ “С”.......................... 175
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.....................................................178
ЛИТЕРАТУРА.....................................................183
8
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность проблемы. Проблема реального кристаллообразования -одна из важнейших, нерешенных проблем физики конденсированного состояния. Решение данной проблемы имеет как научное, так и практическое значение. Научная значимость решения проблемы реального кристаллообразования состоит в определяющем влиянии реальной структуры кристаллических образований на их физические свойства. Практическое значение решения проблемы реального кристаллообразования вытекает из того, что в практической деятельности, как правило, используются кристаллы, структура которых характеризуется определенной плотностью дефектов. Ярким примером могут служить кристаллы полупроводников, используемые в электронных устройствах.
Развитие такого раздела физики твердого тела как пленочное материаловедение, связанного с широким применением тонких слоев в микроэлектронике, оптике, полупроводниковом приборостроении, делает чрезвычайно актуальным проведение научных исследований реальной структуры тонкопленочных кристаллов. В связи с тем, что исследования реальной структуры тонкопленочных кристаллов могут быть проведены с использованием методов просвечивающей электронной микроскопии, понятна перспективность таких исследований.
Таким образом, исследование реальной структуры тонкопленочных кристаллов продиктовано необходимостью решения как чисто научных задач, так и требованиями резко возросшего практического применения тонких слоев.
Одним из широко применяемых в виде тонких пленок материалом является селен. В то же время тонкопленочные кристаллы селена характеризуются удивительным многообразием типов реальных структур. Данные особенности селена в сочетании с удобным для экспериментальных исследований интервалом температур кристаллизации позволяют использовать
9
селен в качестве модельного объекта для исследования реальной структуры тонкопленочных кристаллов.
В связи с вышеизложенным целью данной работы является:
1) исследование реальной структуры кристаллов, растущих в тонких аморфных пленках селена при различных температурах кристаллизации;
2) анализ на основании полученных результатов процессов формирования реальных структур тонкопленочных кристаллов селена.
Основной методикой выполнения работы является трансмиссионная дифракционная электронная микроскопия в сочетании с анализом картин изгибных экстинкционных контуров, использованием микродифракции и исследованием кристаллов в гониометре. В качестве вспомогательной методики использовались оптические исследования в поляризованном свете.
Основные новые результаты, полученные в работе, заключаются в следующем:
1. Исследованы межблочные границы в тонкопленочных кристаллах селена. Обнаружен и объяснен эффект изменения знака вектора разориентировки со вдоль межблочных границ кручения, сформировавшихся в одной из частей кристалла. Эффект изменения знака вектора разориентировки обнаружен как для оборванных границ, так и для границ вышедших на фронт роста кристалла. Выявлен и объяснен феномен нулевой разориентировки вдоль межблочных границ. Развита модель формирования межблочной границы кручения в тонкопленочных кристаллах селена.
2. Обнаружены новые типы реальных структур тонкопленочных кристаллов гексагонального селена: неоднородное упругое ротационное искривление решетки ромбовидного кристалла вокруг оси “С” с максимумом удельной скрученности решетки О,
10
смещенным относительно центра кристалла в направлении наибольшей скорости роста; неоднородное упругое ротационное искривление решетки ромбовидного кристалла вокруг двух взаимно-перпендикулярных направлений с линейным изменением радиуса изгиба решетки вокруг оси “С” в направлении наименьшей скорости роста кристалла; неоднородное упругое ротационное искривление решетки ромбовидного кристалла вокруг двух взаимноперпендикулярных направлений с нелинейным изменением радиуса изгиба решетки вокруг оси “С” в направлении наименьшей скорости роста кристалла.
3. Обнаружено явление непрерывной равномерной релаксации неоднородного упругого ротационного искривления решетки тонкопленочных кристаллов селена вокруг оси “С”. Показано, что формирование реальной структуры нового типа - неоднородного упругого ротационного искривления решетки тонкопленочных кристаллов селена со смещенным относительно центра кристалла максимумом удельной решетки является следствием процесса непрерывной равномерной релаксации неоднородного упругого ротационного искривления решетки вокруг оси “С”.
4. Обнаружены и объяснены явления непрерывной линейной и непрерывной нелинейной релаксации неоднородного упругого ротационного искривления решетки тонкопленочных кристаллов гексагонального селена вокруг оси '‘С”. Непрерывная линейная релаксация приводит к линейному изменению радиуса кривизны кристаллической решетки вдоль [001]. Непрерывная нелинейная релаксация приводит к нелинейному изменению радиуса кривизны решетки кристалла вдоль [001].
5. Установлено, что в тонкопленочных кристаллах гексагонального селена имеет место суперпозиция обнаруженных типов релаксации
11
неоднородного упругого ротационного искривления решетки вокруг оси “С”. Проведена классификация типов релаксации. Выявлено, что в исследованных кристаллах селена имеют место релаксационные процессы следующих типов:
1) непрерывная равномерная релаксация;
2) непрерывная линейная релаксация;
3) непрерывная нелинейная релаксация;
4) дискретная релаксация.
6. Детально исследована реальная структура кристаллов селена, растущих в тонких аморфных пленках. Установлено, что реальная структура тонкопленочных кристаллов селена может быть описана или евклидовой, или римановой геометрией. Выявлено, что реальная структура кристаллов, описываемая евклидовой геометрией, является исходной для формирования реальной структуры кристаллов, описываемой римановой геометрией.
7. Обнаружен и объяснен электронографический эффект азимутального размытия отдельных рефлексов на электронограммах, сопровождающий переход от реальной структуры тонкопленочного кристалла селена, описываемой евклидовой геометрией, к реальной структуре, описываемой римановой геометрией. Показано, что азимутальное размытие отдельных рефлексов на электронограммах соответствует отражениям от искривленных и, следовательно, испытывающих непрерывную разориентацию, плоскостей кристалла.
8. Разработана методика электронно-микроскопического определения римановой кривизны решетки тонкопленочных кристаллов, испытывающей ротационное искривление вокруг двух или грех взаимно-перпендикулярных направлений. Получена формула для расчета римановой кривизны решетки тонких кристаллов по размытию рефлексов на электронограммах. На основе разработанной
12
методики, с использованием полученной формулы, определены: значения римановой кривизны решетки тонкопленочных кристаллов селена: 1)с неоднородным упругим ротационным искривлением вокруг двух взаимно-перпендикулярных направлений, на электронномикроскопическом изображении которых присутствует нелинейная веерообразная система изгибных контуров; 2) с неоднородным упругопластическим искривлением вокруг трех взаимно-перпендикулярных направлений.
Практическая ценность представляемых в работе результатов заключается в возможности их использования при разработке и создании новых тонкопленочных кристаллических материалов, планировании научных экспериментов при исследовании кристаллов с ротационным искривлением решетки. Полученные результаты позволяют вести поиск и обнаружение новых, ранее неизвестных физических свойств тонкопленочных кристаллических объектов.
Апробация работы. Результаты работы были представлены на международных и Всероссийских конференциях, и школах:
• Международной конференции “Текстура и свойства материалов”, Екатеринбург, Россия, 1997г.
• IX Международной конференции “Межзеренные и межфазные границы в материалах”, Прага, Чехия, 1998г.
• Двенадцатой зимней школе по механике сплошных сред, Пермь, 1999г.
• IX Нациоиатьной конференции по росту кристаллов, ИК РАН, Москва, 2000 г.
Структура работы
Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, заключения, списка цитируемой литературы. Глава первая посвящена обзору и анализу литературных данных по теме диссертационной работы. Глава вторая содержит постановку задачи и описание методики исследований. В главе третьей
13
изложены результаты исследования межблочных границ и упругого ротационного искривления решетки кристаллов гексагонального селена вокруг оси “С”. В четвертой главе представлены результаты исследования кристаллов с ротационным искривлением решетки вокруг двух взаимно-перпендикулярных направлений. В главе пятой представлены методика определения римановой кривизны решетки и результаты применения разработанной методики к определению римановой кривизны решетки тонкопленочных кристаллов селена. В главе шестой проводится обсуждение полученных
экспериментальных результатов. В заключении сделаны основные выводы по диссертационной работе.
14
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО РЕАЛЬНОЙ СТРУКТУРЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ КРИСТАЛЛОВ
Рассмотрим и проанализируем содержание работ, посвященных исследованию реальной структуры тонкопленочных кристаллов, основные результаты которых использованы при проведении исследований по теме данной диссертации.
1.1. Реальная структура тонкопленочных кристаллов
Прежде чем рассматривать результаты работ по реальной структуре тонкопленочных кристаллов, рассмотрим в самом общем виде подход к определению реальной структуры кристаллов как таковой.
1.1.1. Реальная структура кристаллов
Идеальный кристалл, как трехмерно-периодическую структуру, в элементарной ячейке которой атомы занимают фиксированные положения на определенных расстояниях друг от друга, рассматривают как одну из абстракций теоретической физики твердого тела /1-4/. В реальных кристаллах существуют отклонения от этой абстрактной схемы, называемые дефектами кристаллической решетки. Дефекты кристаллической решетки классифицируются по геометрическому признаку - числу измерений, в которых нарушения идеальной структуры кристалла простираются на макроскопические расстояния /2,5/. Нульмерные или точечные дефекты, одномерные или линейные дефекты, двухмерные или поверхностные дефекты, трехмерные или объемные дефекты. Примером нульмерных дефектов служат атомы в междоузлиях решетки или вакантные узлы решетки /2,3,4,5,6/. К линейным дефектам относятся дислокации и дисклинации /7,8,9,10,11,12,13,14/. Поверхность кристалла, межзеренные и межблочные границы служат примерами двухмерных (поверхностных) дефектов /4,5,15,16/. Трехмерные
15
(объемные) дефекты - это поры, включения и другие макроскопические образования /2,4,9,17/.
Структура реального кристалла искажена но сравнению со структурой идеального кристалла и это искажение может быть описано с помощью тензора деформации /2,11,12,13,18/:
е = £ + со, (1.1)
где г - тензор деформации; є - тензор чистой деформации; со - тензор чистого поворота.
Тензор чистой деформации є является симметричной частью тензора деформации е:
Еч =\(еч+ер)- С-2)
Тензор чистого поворота - антисимметричная часть тензора деформации е /11,18,19/:
й>у=^(е,у-^/)- (1-3)
Физико-механические свойства кристаллов определяющим образом зависят от реальной структуры кристаллов /2,4,5/. Отсюда понятна необходимость изучения реальной структуры кристаллов. Все более широкое применение в технике и микроэлектронике тонких слоев, как в аморфном, так и в кристаллическом состоянии делает особенно актуальными исследования реальной структуры тонкопленочных кристаллов /20/.
1.1.2. Реальная структура тонкопленочных кристаллов. Селен
Реальная структура тонких кристаллов, выросших в аморфных пленках, описывается теми же дефектами, что и структура обычных кристаллов. Структура тонкопленочных кристаллов может содержать и точечные дефекты /8,20,21/, и дислокации, и дисклинации /8,20,21,22/, двухмерные и трехмерные
16
дефекты /23,24,25/. Характерными деталями реальной структуры тонкопленочных кристаллов являются формирующиеся в них межблочные границы и искривление решетки /26,27/. Указанное обстоятельство справедливо и для реальной структуры тонкопленочных кристаллов селена /26,28,29/. Вместе с тем, реальная структура тонкопленочных кристаллов может быть исследована с помощью методов дифракционной электронной микроскопии /8,9,25,30/.
Среди веществ, используемых для получения и последующего исследования тонкопленочных кристаллов, особое место занимает селен /31/. В литературе отмечается ряд особенностей, выделяющих селен как удобный объект для исследования реальной структуры тонкопленочных кристаллов. Температура плавления селена, равная 220°С /31/ делает несложной процедуру получения тонких аморфных пленок. Широкий интервал температур кристаллизации (30-217°С) /32/ позволяет вести процесс кристаллизации аморфных пленок как путем изотермического отжига з печи, так и под пучком электронов в колонне электронного микроскопа. Присутствие изгибных экстинкционных контуров на электронно-микроскопическом изображении кристаллов селена дает возможность исследовать их структуру, используя метод изгибных контуров /33-42/, отличающийся высокой локальностью и точностью.
Все вышеизложенное позволяет определить селен как модельный объект для исследования реальной структуры тонкопленочных кристаллов.
1.1.3. Влияние температуры кристаллизации на реальную структуру тонкопленочных кристаллов
Как показывают исследования ряда авторов, с изменением температуры кристаллизации наблюдается изменение реальной структуры тонкопленочных кристаллов. Так авторами работ /23,26,43/ установлено, что с понижением температуры кристаллизации плотность межблочных границ в кристаллах,
17
растущих в аморфных пленках возрастает. В работе /44/ сообщается о росте двух типов высокодефектных объектов - сферолитных кристаллов серы, вызываемом изменением температуры кристаллизации.
Изменение температуры кристаллизации аморфных пленок может приводить не только к повышению или понижению плотности межблочных границ в кристаллах, но и обусловливать изменение способа формирования межблочных границ /43/. Изменение температуры кристаллизации влияет и на искаженность решетки тонкопленочных кристаллов. Автор работы /45/ приводит результаты исследования зависимости искаженности решетки кристаллов теллура и селена от температуры кристаллизации.
Таким образом, для тонкопленочных кристаллов самых разных веществ и, в том числе, селена плотность дефектов с изменением температуры кристаллизации меняется. Следовательно, изменяя температуру кристаллизации мы можем выращивать тонкопленочные кристаллы с большей или меньшей плотностью дефектов. Отмеченный факт можно использовать при планировании исследований реальной структуры кристаллов, растущих в тонких аморфных пленках. Как уже отмечалось в п. 1.1.2, характерными дефектами для тонкопленочных кристаллов в целом и кристаллов селена в частности являются межблочные границы и ротационное искривление решетки. В связи с этим рассмотрим более детально литературные данные о формировании межблочных границ в тонкопленочных кристаллах.
1.2. Формирование межблочных границ в тонкопленочных кристаллах
Результатом формирования межблочных границ в кристаллах является разбиение их на блоки. Процессу блокообразования в кристаллах, растущих в аморфных пленках, посвящена работа /46/, в которой сделан вывод, что формирование межблочных границ в тонкопленочных кристаллах реализуется тремя способами. Первым способом формирования межблочных границ