Магнетронное напыление и исследование пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-б для применений в пассивных высокочастотных устройствах

Содержание
Введение
Глава 1. Способы получения, методы исследования и основные свойства тонких пленок высокотемпературного сверхпроводника УВагСизС
1.1. Введение
1.2. Микроструктура и свойства тонких пленок
1.3. Способы получения эпитаксиальных пленок
1.4. Физический механизм распыления материалов
под действием ионной бомбардировки
1.5. Магнстронный разряд и особенности получения тонких пленок
ВТСП методом магнетронного напыления
1.6. Методы исследования структуры и элементного состава пленок
1.7. Вывода
Глава 2. Анализ элементного состава мишеней и пленок УВагСизО методом электронной ожеспсктроскоиии
2.1. Введение
2.2. Физические основы метода электронной ожеснектроскопии
2.3. Послойный ожеанализ тестструктур
роль ионностимулированных процессов
2.3.1. Анализ структур М0В4С, i
2.3.2. Анализ структур Ixix с квантовыми ямами
2.4. Ожеанализ мишеней и пленок
2.5. Выводы
Глава 3. Влияние катионного состава мишеней на сверхпроводящие и микроструктурные свойства пленок УВа2Сиз, получаемых в магнетронной системе напыления xi конфигурации
3.1. Введение
3.2. Экспериментальная установка магнетронного напыления
конфигурации xi
3.3. Анализ зависимости свойств УВСО пленок от состава мишеней
3.4. Выводы
Глава 4. Исследование особенностей получения УВагСизО пленок в планарной магнетронной системе напыления xi конфигурации
4.1. Введение
4.2. Экспериментальная установка магнетронного напыления
конфигурации xi
4.3. Характеристики УВСО пленок, получаемых в
конфигурации xi
4.4. Изменение напряжения магнетронного разряда и скорости осаждения
УВСО пленок в процессе эксплуатации мишени
4.5. Выводы
Глава 5. Применение УВа2Сизб пленок, получаемых в магнетронной напылительной системе xi, в пассивных ВЧ и СВЧ устройствах
5.1. Введение
5.2. Примеры применений УВСО пленок, получаемых в системе
напыления xi в пассивных приборах ВЧ и СВЧ диапазонов
5.2.1. Дисковый СВЧ резонатор
5.2.2. Фильтры мегагерцевого диапазона
5.3. Анализ механизмов потерь в структурах на основе пленок
в мсгагерцовом диапазоне
5.4. Выводы
Заключение
Список цитированной литературы