СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава I. Выращивание ВТСП пленок УВаСиО методом лазерной абляции .
1.1. Метод лазерной абляции для выращивания ВТСП пленок УВаСиО
1.2. Экспериментальная установка и методика измерения сверхпроводящих параметров УВаСиО пленок
1.3. Взаимодействие лазерного излучения с поверхностью мишени УВаСиО
1.4. Формирование и рост пленок УВаСиО на монокристаллических подложках
Глава II. Влияние макроструктуры на сверхпроводящие параметры УВаСиО пленок .
2.1. Макроструктура УВаСиО материалов .
2.2. Связь макроструктуры со сверхпроводящими параметрами УВаСиО пленок .
2.3. Температурная зависимость плотности критического тока
У ВаСиО пленок, выращенных методом лазерной абляции
Глава III. Выращивание и исследование напряженных сверхпроводящих У ВаСиО пленок
3.1. Выращивание ВТСП напряженных УВаСиО пленок методом лазерной абляции
3.2. Механизм подавления плотности критического тока в
УВаСьО напряженных пленках .
3.3. Исследование ВТСП напряженных УВаСиО пленок методом сканирующей микроскопии.
3.4. Температурные зависимости плотности критического тока ВТСП напряженных УВаСиО пленок
Глава IV. ВТСПсквид на основе УВаСиО пленки
4.1. Сквиды на основе УВаСиО материалов .
4.2. Магнитометры на основе ВТСП Ьссквидов
4.3. Высокотемпературный сверхпроводящий тонкопленочный 1ссквид.
Заключение. Основные результаты и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922