ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава 1. ОЧИСТКА, ВЫРАЩИВАНИЕ, СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ
ДИЙОДИДА РТУТИ.
1.1. Способы получения дийодида ртути
1.2. Методы очистки.
1.3. Формы вхождения примесей.
1.4. Методы выращивания кристаллов аГ.
1.5. Основные характеристики дийодида ртути.
Глава 2. ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ
КРИСТАЛЛОВ ДИЙОДИДА РТУТИ
2.1. Теоретические основы термостимулированной проводимости
2.2. Обзор литературных данных по термостимулированной проводимости ди йодида ртути
2.3. Экспериментальная установка измерения термостимулирован ной проводимости .
2.4. Методы расчета параметров локальных центров
2.5. Термостимулированная проводимость кристаллов ди йодида ртути, выращенных из раствора диметилсульфоксида и газовой фазы
2.6. Определение параме фов глубоких центров в кристаллах дийодида ртути методом нелинейной регрессии спектров термостимулированной проводимости.
2.7. Донорноакцепторный механизм термостимулированной кристаллов дийодида ртути.
2.8. Влияние дипольного момента донорноакцепторной пары на спектр термостимулированной проводимости кристаллов дийодида ртути
Глава 3. АМПЛИТУДНЫЙ АНАЛИЗ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СПЕКТРОВ
ДЕТЕКТОРОВ А ОС1ЮВЕ ДИЙОДИДА РТУТИ.
3.1. Сбор заряда и формирование амплитудного спектра в полупроводниковом детекторе.
3.2. Описание экспериментальной установки и методики амплитудного анализа
3.3. Поляризация НЕдетекторов
3.4. Сбор заряда в полупроводниковом детекторе гаммаквантов
с неоднородным электрическим полем
3.5. Энергетическое разрешение аЛЪдетекторов рентгеновских и гаммаквантов.
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922