Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек

СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
1.1. Снинорбитальное взаимодействие и фактор в низкоразмерных системах.
1.2. Предложения по использованию спиновой степени свободы.
1.3. Исследование спиновой релаксации в полупроводниковых наноструктурах.
ГЛАВА 2. ФАКТОР ДЫРОК В i КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ.
2.1. Описание объекта исследования и постановка задачи.
2.2. Метод сильной связи.
2.3. Метод вычисления фактора.
2.4. факгор дырок в i квантовых точках.
2.5. Зависимость фактора от размера i квантовой точки
2.6. Обсуждение экспериментальных возможностей измерения фактора дырок в i
квантовых точках.
Выводы к главе 2.
ГЛАВА 3. СПИНОВАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДЫРОК В МАССИВАХ i КВАНТОВЫХ
3.1. Постановка задачи
3.2. Спиновая релаксация при туннелировании между квантовыми точками.
3.2.1. Метод вычисления.
3.2.2. Вероятность переворота спина при резонансном туннелировании
3.3. Спиновая релаксация дырок в i квантовой точке за счт взаимодействия с
фононами.
3.4. Спиновый транспорт в двумерных массивах i квантовых точек
Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОНЫ В СИСТЕМЕ С i КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ.
4.1. Постановка задачи.
4.2. Экспериментальные результаты исследований методом ЭПР электронов,
локализованных вблизи i квантовых точек.
4.3. Обсуждение полученных результатов
4.3.1 фактор электронов, локализованных вблизи i квантовых точек.
4.3.2. Угловая зависимость ширины ЭПРлинии
Выводы к главе 4
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
Приложение А. Спиновая релаксация за счт флуктуаций электронного потенциала
Приложение Б. фактор электрона, локализованного вблизи вершины i квантовой
Заключение
Литература