ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1. ЭЛЕКТРОНЫ В ТВЕРДОМ ГЕЛЕ И ЭЛЕКТРОНЫ В ВАКУУМЕ
МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ.
1Л. 1 Остановка задачи
1.2. Методологический подход
1.3. Математическое описание динамики электронов в твердом теле.
1.4. Математическое описание рассеяния электронов в твердом теле
1.5. Использованные программноаппаратные средства
Глава 2. ОПТИЧЕСКОЕ ВОЗБУЖДЕНИЕ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ
2.1. Постановка задачи
2.2. Расчет интенсивности светового поля в тонкой пленке
2.3. Определение оптических констант и толщины пленки.
2.4. Определение оптических констант антимонидов щелочных металлов и арсенида галлия.
2.5. Расчет комплексной диэлектрической постоянной
2.6. Краткие выводы.
Глава 3. ИНЖЕКЦИЯ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ВАКУУМНЫЙ ЗАЗОР.
3.1. Постановка задачи
3.2. Применимость и физический смысл формулы ФаулераНордгейма
3.3. Математическое моделирование полевой эмиссии с учетом реального распределения поля.
3.4. Расчет траектории электрона в вакуумном зазоре.
3.5. Краткие выводы
Глава 4. ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ В БЕСПОЛЕВОМ ПРОСТРАНСТВЕ.
4.1. Постановка задачи.
4.2. Стохастическое моделирование транспорта электронов
4.3. Моделирование транспорта горячих электронов в диффузионной модели.
4.4. Краткие выводы
Глава 5. ТРАНСПОРТ ЭЛЕКТРОНОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
5.1. Постановка задачи.
5.2. Расчет хода потенциала
5.3. Обработка результатов натурного моделирования транспорта электронов в области пространственного заряда
5.4. Экспоненциальное приближение в анализе приповерхностного транспорта электронов
5.5. Краткие выводы
Глава 6. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ПОВЕРХНОСТНЫЙ ПОТЕНЦИАЛЬНЫЙ БАРЬЕР.
6.1. Постановка задачи.
6.2. Решение задачи о прозрачности потенциального барьера
6.3. Резонансное туннелирование на границе полупроводниквакуум
6.4. Метод малых изменений работы выхода.
6.5. Угловые зависимости эмиссии и сохранение тангенциальной составляющей импульса
6.6. Анализ результатов натурного эксперимента.
6.7. Краткие выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922