Содержание
Введение
1. Анализ моделей полупроводниковых структур и электрических методов измерения их параметров
1.1 Полупроводниковые микро и наноструктуры и их эквивалентные
1.1.1 Эквивалентная электрическая схема рпперехода и
его параметры, измеряемые вольтфарадными методами .
1.1.2 Эквивалентные электрические схемы МДПсаруктуры
и е параметры, измеряемые вольтфарадными методами.
1.2 Вольтфарадные методы измерения параметров полупроводниковых структур .
1.2.1 Измерение параметров переходов по их вольтфарадным характеристикам ВФХ.
1.2.2 Измерение параметров МДПструктур.
1.3 Особенности измерения ВФХ полупроводниковых структур .
1.4 Анализ средств измерения параметров полупроводниковых структур
Выводы по главе 1
2. Исследование влияния метрологических характеристик средств измерения на погрешность измерения электрофизических параметров.
2.1 Исследование влияния характеристик средств измерения на погрешность измерения параметров компонент моделей полупроводниковых структур.
2.2 Анализ влияния погрешностей измерения ВФХ на погрешность косвенного измерения электрофизических параметров полупроводниковых структур
2.3 Измерение ВФХ сложных полупроводниковых структур
Выводы по главе 2.
3. Совершенствование аппаратной части средств измерения ВФХ.
3.1 Источники инструментальных погрешностей измерения
3.2 Методика снижения инструментальной погрешности формирования напряжения смещения.
3.3 Формирование напряжений смещения для измерения ВФХ высоковольтных полупроводниковых структур.
3.4 Совершенствование способа формирования тестового воздействия на объект измерения
Выводы по главе 3.
4. Методики и технические средства снижения инструментальной погрешности измерения ВФХ.
4.1 Методика калибровки средства измерения ВФХ по импедансу при удалнном подключении объекта измерения.
4.2 Методика коррекции инструментальной погрешности импеданса на основе интерполяции Лагранжа
4.3 Устройства формирования образцовых импедансов
Выводы по главе 4
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922