ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ОБЗОР НЕРАЗРУШАЮЩИХ МЕТОДОВ И СРЕДСТВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОСНОВНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1. Методики и датчики для определения величины удельного сопротивления
1.2. Определение времени жизни неосновных носителей заряда.
1.3. Структура и электрофизические свойства мультикристаллического кремния
1.4. Автодинные датчики с элементами микромеханики.
1.5. Анализ режимов работы автодшшых датчиков
1.5.1. Непрерывный режим работы автодина.
1.5.2. Автодины с линейной частотной модуляцией
1.5.3. Автодины с синусоидальной частотной модуляцией
1.5.4. Автодины с импульсной модуляцией
Глава 2. ФИЗИКОМАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОДУЛЕЙ
2.1. Электроперенос в ФЭП
2.2. Вольтамиерная характеристика
2.3. Спектральные характеристики.
2.4. Коэффициент поглощения
2.5. Коэффициент отражения.
2.6. Нахождение тока короткого замыкания.
2.6.1. Неосновные носители заряда в побласти
2.6.2. Неосновные носители заряда в робласти
2.7. Эквивалентная схема ФЭП.
2.8. Влияние планарной неоднородности ФЭП на его эффективность.
2.8.1. Модель планарно неоднородного ФЭП.
2.8.2. Подложечная составляющая
2.8.3. Технологическая составляющая
2.9. Электроперенос в локально освещенных ФЭП
2.9.1. Точечный источник засветки в бесконечном рп переходе.
2.9.2. ВАХ при малом уровне сигнала
2.9.3. Фотоэффект в рп переходе, работающий в режиме насыщения
2 Модели, применяемые для оценки вырабатываемой мощности.
21. Модель КПД.
22. Модель поправочных коэффициентов.
23. Физическая модель
24. Статистическая модель
Глава 3. МЕТОДЫ НЕРАЗРУШАЮЩЕГО КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ
СТРУКТУРНОЕОДНОРОДНОГО МАТЕРИАЛА
3.1. Методика неразрушающего СВЧконтроля
3.2. Установки, используемые при исследованиях неразрушающих методов контроля структурнонеоднородных материалов
3.3. Технические решения по структуре включения образца в
СВЧполе датчиковзондов.
3.3.1. Коаксиальные датчики
3.3.2. Автодинные датчики
3.4. Описание настройки автодшшых датчиков для измерения
параметров кремния.
3.5. Бесконтактное измерение основных параметров мультикремння
3.6. Установка визуализации места дефектов в солнечных элементах
3.7. Анализ точности контроля полупроводниковых материалов
автодинным датчиком.
3.8. Исследование многослойных эпитаксиальных структур
Глава 4. МЕТОДОЛОГИЧЕКИЕ ОСНОВЫ ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ФЭП .Л
4.1. Технология изготовления ФЭП и ФМ.
4.2. МЕТОДИКИ И ОБОРУДОВАНИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРЕМНИЯ, ФЭП И ФМ.
4.3. АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ ПЛАНАРНОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ФЭП
Глава 5. НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ И КОНСТРУКЦИОННЫХ ФАКТОРОВ ФЭП
5.1. Исследование влияния конструктивных факторов на эффективность ФЭП
5.2. Экспериментальное исследование планарной неоднородности
фоточувствительности ФЭП
5.3. Приборы и методы исследований
5.4. Комплекс параметров, влияющих на работу ФМ.
Г лава 6. АНАЛИЗ НАТУРНЫХ ИСПЫТАНИЙ ФМ И СТАТИСТИЧЕСКОЙ
МОДЕЛИ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ
6.1. Структура мобильной станции мониторинга работы ФМ
6.2. Программа управления мобильной станцией
6.3. Объекты исследования и места проведения испытаний
6.4. Описание базы данных.
6.5. Результаты работы мобильной станции
6.6. Определение приходящей солнечной радиации на поверхность ФМ
6.7. Построение эмпирической модели.
6.8. Нахождение температуры ФМ
6.9. Расчет мощности ФМ.
6 Уравнения регрессии.
6 Методика прогнозирования
7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922