Баллистические планарные структуры из монокристаллического вольфрама

Оглавление,
Введение.
Глава 1. Баллистический электронный транспорт и пленки, необходимые для создания баллистических металлических структур.
1.1. Электропроводность тонких пленок металлов.
1.1.1. Размерный эффект.
1.1.2. Температурная зависимость сопротивления.
1.2. Баллистический электронный транспорт в низкоразмерных структурах.
1.3. Получение и свойства монокристаллических пленок.
1.3.1. Особенности эпитаксиального роста.
1.3.2. Эпитаксия пленок тугоплавких ОЦКметаллов.
1.3.3. Эпитаксия буферных слоев М01.
1.3.4. Метод импульсного лазерного осаждения ИЛО.
Глава 2. Технологические и экспериментальные методы.
2.1. Выращивание эпитаксиальных пленок XV и методом ИЛО.
2.2. Методы исследования структуры и морфологии пленок.
2.3. Методика измерений вольтамперных характеристик пленок и наноструктур.
2.4. Изготовление планарных монокристаллических структур с минимальными размерами 0 нм.
2.5. Развитие зондовой литография для создания монокристаллических наноструктур с размерами 0 нм.
Глава 3. Оптимизация условий роста монокристаллических пленок XV на гплоскости сапфира и исследование их свойств.
3.1. Оптимизация условий роста.
3.2. Размерная зависимость проводимости пленок от толщины.
3.3. Влияние латеральных размеров структур на ДСП электронов.
Глава 4. Оптимизация условий роста гетероструктур V на сапфире и арсениде галлия и исследование их свойств.
4.1. Гетероструктуры на гплоскости сапфира.
4.2. Г етероструктуры на поверхности ОаА1.
Глава 5. Исследования температурной зависимости проводимости планарных наноструктур из монокристаллического У1.
5.1 Баллистический ЭТ в У1 наноструктурах.
5.2. Зависимость баллистического эффекта от ДСП электронов.
Заключение.
Литература