Разработка низкоэнергетического СВЧ вакуумно-плазменного травления структур микроэлектроники

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. Методы и механизмы вакуумноплазменного травления материалов микроэлектроники
1.1 .Современные требования микроэлектроники к процессу вакуумноплазменного травления материалов
1.2. Методы вакуумноплазменного травления, основанные на физическом распылении обрабатываемого материала
1.3. Методы вакуумноплазменного травления материалов, основанные
на использовании химических реакций
1.4.Использование СВЧ газового разряда для вакуумноплазменного травления материалов микроэлектроники.
1.5. Постановка задачи.
1.6. Выводы
2. СВЧ вакуумноплазменное травление кремнийсодержащих
материалов.
2.1. Экспериментальная установка и методики исследований.
2.2. Экспериментальные исследования СВЧ вакуумноплазменного травления кремнийсодержащих материалов.
2.2.1. Влияние внешнего магнитною поля и СВЧ мощности на
скорость травления кремнийсодержащих материалов.
2.2.2.Влияние давления рабочего газа и параметров ионного облучения на скорость травления кремнийсодержащих материалов
2.3. Физикохимические процессы на поверхности обрабатываемого материала при низкоэнергетическом СВЧ вакуумноплазменном травлении.
2.4.Физикохимическая модель низкоэнергетического СВЧ вакуумноплазменного травления кремния во фторосодержащей плазме
2.5. Селективность при низкоэнергетическом СВЧ вакуумно
плазменном травлении.
2.6. Выводы
3. СВЧ вакуумноплазменное травление соединений группы А3В
и тонких пленок металлов
3.1. Экспериментальные исследования СВЧ вакуумноплазменного травления арсенида галлия
3.2. Анализ экспериментальных результатов по СВЧ вакуумноплазменному травлению арсенида галлия.
3.3. Экспериментальные исследования СВЧ вакуумноплазменного травления тонких пленок металлов.
3.4. Выводы
4. Анизотропность, структура и качество поверхности материалов
при СВЧ вакуумноплазменном травлении
4.1. Анизотропность при СВЧ вакуумноплазменном травлении кремнийсодержащих материалов и материалов группы А3В5.
4.2. Качество обработанной поверхности при СВЧ вакуумноплазменном травлении кремнийсодержащих материалов
4.3. Качество обработанной поверхности материалов группы Л3В5 при
СВЧ вакуумноплазменном травлении.
4.4 .Выводы.
5.Разработка технологических процессов СВЧ вакуумноплазменного травления для решения прикладных задач микроэлектроники
5.1. Плазмостойкость различных маскирующих покрытий при СВЧ вакуумноплазменном травлении.
5.2. Реализация метода обратной литографии и СВЧ вакуумноплазменного травления в одном вакуумном объеме.
5.3. Исследования параметров СВЧ ионноплазменного источника и реализация различных методов травления микроструктур
5.4 . Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА