Содержание
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. Обзор типов МГРИ, схем управления ими, электрических режимов эксплуатации ЭО, а также факторов влияющих на характеристики ЗО М РИ
1.1. Различные виды матричных газоразрядных индикаторов
1.1.1. Основные принципы классификации матричных
газоразрядных индикаторов.
1.1.2. ГИП постоянного тока
1.1.2.1. Базовая модель ГИП постоянного тока.
1.1.2.2. ГИП постоянного тока с внешней адресацией.
1.1.2.3. Газоразрядные панели постоянного тока с самосканированием.
1.1.3. ГИП переменного тока
1.1.3.1. ГИГ переменного тока с изолированными ячейками.
1.1.3.2. ГИП переменною тока с открытыми ячейками с памятью
.3.3. Особенности цветных ГИП переменного тока.
1.2. Существующие и перспективные электрические
режимы эксплуатации ЭО МГРИ
1.3. Схемы управления МГРИ.
1.3.1. Схемы управления ГИП постоянного тока.
1.3.1.1. Схема управления для отображения буквенноцифровой информации на ГИП с самосканированием
1.3.1.2. Схема управления устройства для отображения знакографической информации на ГИП постоянного тока с внешней адресацией
1.3.1.3. Схема управления для отображения информации коллективного пользования на ГИП постоянного тока с внешней адресацией.
1.3.2. Схема управления ГИП переменного тока
1.4. Изменение напряжения поддержания тлеющего разряда
динамическое сопротивление
1.5. Выводы. Конкретизация задач исследований.
ГЛАВА 2. Теоретический анализ влияния неоднородной электронной
эмиссии с поверхности катода и геометрического фактора на характеристики матричных газоразрядных индикаторов
2.1. Распределение тока по поверхности катода при работе
двух участков с разными эмиссионными свойствами.
2.2. Влияние дискретного изменения эмиссионных
свойств на вольтамперную характеристику ЭО
2.3. Влияние геометрического фактора на характеристики ЭО МГРИ.
2.4. Исследование влияния непрерывного пространственного изменения эмиссионных свойств вдоль поверхности
катода на характеристики ЭО.
2.5. Выводы.
ГЛАВА 3. Установка для исследования характеристик
ЭО МГРИ в квазистатическом режиме.
3.1. Описание структурной схемы.
3.2. Схема сопряжения с параллельным портом компьютера
3.3. Генератор двух импульсов.
3.4. Схема выбора исследуемого элемента отображения.
3.5. Коммутатор.
3.6. Выбор схемы формирователя выходного импульса.
3.6.1. Магнитные формирователи высоковольтных импульсов.
3.6.2. Формирователи высоковольтных прямоугольных
импульсов на транзисторах
3.6.3. Схема формирователя высоковольтных микросекундных
импульсов с выходным каскадом на электронной лампе.
3.7. Формирователь высоковольтных микросекундных импульсов
3.8. Выводы.
ГЛАВА 4. Установка для исследования характеристик
ЭО МГРИ в динамическом режиме
4.1. Описание структурной схемы.
4.2. Выбор схемы формирователя высоковольтных
наносекундных импульсов
4.2.1. Формирователь высоковольтных наносекундных импульсов на основе фотонноинжекционных импульсных транзисторов.
4.2.2. Формирователи высоковольтных наносекундных импульсов на основе дрейфовых диодов с резким восстановлением запирающих свойств.
4.2.3. Формирователь наносекундных импульсов на ключе
с эмиттерным управлением.
4.3. Выводы.
I ЛАВА 5. Экспериментальные результаты диссертационной работы
и их сопоставление с теоретическими выводами
5.1. Результаты исследования временных характеристик
зажигания разряда
5.2. Анализ экспериментальных данных по изучению
сформировавшегося разряда
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922