ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава 1. Основные методы субмикрониого профилирования поверхности подложек в нанотехнологии, особенности применения ионнолучевых методов
Методы субмикрониого профилирования поверхности в
нанотехнологии.
1.1.1. Оптическая литография.
1.1.2. Электроннолучевая лито1рафия.
1.1.3. Нанопечатная литография.
1.1.4. Рентгеновская литография
Литография с применением сканирующего зондового
микроскопа.
1.1.6. Метод фокусированных ионных пучков
1.2. Основные физические эффекты, возникающие при взаимодействии
ускоренных ионов с твердотельными подложками.
1.3. Субмикронное профилирование подложек методом ФИП в микро и
наноэлектроиике
1.3.1. Формирование областей с заданным уровнем шероховатости рельефа
1.3.2. Формирование структур с вертикальными стенками
1.3.3. Формирование структур с размерами менее 0 нм
Формирование массивов структур с высокой повторяемостью
1.3.4.
параметров.
1.3.5. Формирование структур сложного профиля
Применение кластерного нанотехнологического оборудования для
1.4. формирования структур микро и наносистемной техники методом ФИП
1.5. Выводы и постановка задачи.
Глава 2. Анализ параметров взаимодействия ионного пучка с подложкой .
2.1. Расчет профилей имплантации ионов галлия в различные материалы
2.2. Расчет коэффициентов распыления различных материалов
2.3. Оценка равномерности распределения интенсивности ионнолучевого воздействия при травлении
Модель расчета рельефа поверхности твердого тела при травлении
ФИЛ.
Разработка программного обеспечения генерации растровых
2.5. шаблонов для безмасочного структурирования подложек методом ФИЛ.
2.6. Выводы.
Глава 3. Исследование режимов субмикронного профилирования подложек методом ФИП.
Влияние тока, ускоряющего напряжения и времени воздействия в
точке на геометрические параметры наноразмерных структур.
Разработка методики определения разрешающей способности ионнолучевого травления ФИП.
3.3. Исследование точности переноса рисунка шаблона на подложку
3.4. Исследование влияния параметров ФИЛ на шероховатость поверхности обрабатываемой подложки
3.5. Исследование влияния параметров ФИП на вертикальность стенок формируемых структур.
3.6. Исследование скорости травления полупроводниковых материалов б
3.7. Исследование режимов формирования структур сложного профиля 9 38. Исследование модификации подложки ионами галлия в методе ФИП
3.9. Выводы
Глава 4. Формирование приборов и структур наноэлектроники, микро и наносистемной техники методом ФИП
4.1. Формирование планарных элементов наноэлектроники на основе
тонких пленок металла.
Формирование контрольных образцов для метрологического обеспечения нанотехнологий
4.3. Модификация зондовых датчиковкантилеверов для решения специализированных задач нанодиагностики
4.4. Формирование микродисковых оптических резонаторов на
структурах ii.xx.
4.5. Разработка технологических маршрутов изготовления экспериментальных образцов элементов наноэлектроники и наносистемной техники методом ионнолучевого травления ФИГ, на основе использования многофункционального
сверхвысоковакуумного нанотехнологического комплекса НАНОФАБ НТК9.
4.6. Выводы.
Заключение
Список используемых источников
- Київ+380960830922