Ви є тут

Устройства со скрещенными электрическим и магнитным полями для нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади

Автор: 
Соловьев Андрей Александрович
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2007
Кількість сторінок: 
212
Артикул:
232936
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Методы вакуумного ионноплазменного нанесения тонкопленочных покрытий на подложки большой площади и проблемы повышения их эффективности
1.1. Технологические устройства для нанесения тонкопленочных покрытий
1.1.1. Плазменноассистированное химическое газофазное осаждение РЛСУБ.
1.1.1.1. Нанесение покрытий методом РАСVI
1.1.1.2. Конструкции низкоэнергетичных ионных источников
1.1.2. Физическое газофазное осаждение РУТ.
1.1.2.1. Нанесение покрытий методом РУО.
1.1.2.2. Пути повышения эффективности магнетронных распылительных
1.2. Свойства и методы нанесения твердых углеродных покрытий и ультратонких пленок серебра
1.2.1. Свойства твердых углеводородных покрытий, формируемых из углеводородной плазмы газового разряда низкого давления
1.2.2. Свойства твердых углеродных покрытий, полученных при распылении графита в вакууме
1.2.3. Ультратонкие пленки серебра, наносимые методами РУБ
Выводы к главе 1.
Глава 2. Экспериментальное оборудование
2.1. Экспериментальная установка для вакуумного ионноплазменного нанесения тонких пленок
2.1.1. Магнетронная распылительная система с цилиндрическим вращающимся катодом
2.1.2. Источники питания магнетрона
2.1.3. Генераторы импульсов напряжения смещения подложки.
2.1.4. Ионный источник с анодным слоем.
2.1.5. Источник питания ионного источника
2.2. Измерительное и аналитическое оборудование. Методики исследования характеристик разработанных устройств, параметров образующейся плазмы, а также свойств получаемых покрытий.
2.2.1. Измерительное и аналитическое оборудование
2.2.2. Методика измерения однородности эрозии цилиндрического катода магнетрона по его длине.
2.2.3. Методика измерения однородности толщины наносимых покрытий по длине подложки
2.2.4. Методика измерения однородности ионного пучка и вольтамперных характеристик ионного источника.
2.2.5. Методика измерения параметров плазмы.
2.2.6. Методика определения плотности ионного тока и отношения потока ионов к потоку атомов на подложку.
2.2.7. Методика измерения механических свойств аС и аСН пленок с помощью наноиндентора.
2.2.8. Методика исследования структуры аС и аСН пленок с помощью атомносилового микроскопа.
2.2.9. Методика определения доли алмазоподобной фазы в углеродных и углеводородных пленках с помощью рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.
2.2 Определение удельного электрического сопротивления ультратонких пленок серебра методом ВандерПау.
2.2 Исследование ультратонких пленок серебра методом спектральной эллипсометрии.
2.2 Моделирование магнитного поля с помощью программы .
Выводы к главе 2
Глава 3. Повышение эффективности магнетронных распылительных систем с цилиндрическим вращающимся катодом
3.1. Расширение зоны однородного нанесения покрытий протяженным цилиндрическим магнетроном.
3.2. Устранение ускоренной эрозии концевых частей цилиндрического магнетрона с вращающимся катодом.
3.3. Несбалансированная магнетронная распылительная система на базе магнетрона с цилинрическим вращающимся катодом.
3.4. Повышение длительности непрерывной работы магнетрона при . реактивном
распылении
Выводы к главе 3
Глава 4. Получение твердых аморфных углеродных покрытий и пленок серебра с помощью устройств со скрещенными электрическим и магнитным полями
4.1. Нанесение аСН пленок с помощью ионного источника с замкнутым дрейфом электронов.
4.2. Нанесение аС пленок методом импульсного несбалансированного магнетронного распыления графита.
4.3. Получение ультратонких пленок серебра методом магнетронного распыления
Выводы к главе 4.
Глава 5. Установка для вакуумного ионноплазменного нанесения твердых углеродных
покрытий на подложки большой площади
5.1. Вакуумная камера и система вакуумизации
5.2. Технологические устройства для нанесения покрытий
5.3. Источники питания
Выводы к главе 5
Заключение.
Список литературы