Разработка и исследование однокристальных пороговых магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов

СОДЕРЖАНИЕ.
Общая характеристика работы
Глава I. Тенденции и проблемы развития магниточувствительных микросхем.
1.1. Виды датчиков магнитного поля, преимущества анизотропных магниторезистивных датчиков
1.2. Физические принципы и конструкция магниторезистивных датчиков.
1.3. Выводы и постановка задачи
Глава II. Разработка и исследование однокристальных магниточувствительных микросхем на основе магниторезистивных элементов
2.1. Моделирование магниторезистивного элемента
2.1.1. Конструкция и технология изготовления моделируемого магниторезистивного элемента
2.1.2. Модель магниторезистивного элемента, учитывающая нелинейные эффекты
2.1.3. Результаты моделирования.
2.1.4. Экспериментальные характеристики
магниторезистивного моста.
2.2. Разработка однокристального магниторезистивного датчика
2.2.1. Модель магниторезистивного элемента для системы автоматического проектирования
2.2.2. Разработка схемы датчика.
2.2.3. Температурная компенсации микросхемы.
2.2.4. Однокристальный магниторезистивный датчик
2.3. Выводы
Глава III. Оценка количества выхода годных кристаллов интегральных магниточувствитсльных микросхем на основе магниторезистивных элементов
Глава IV. Разработка и исследование микросхемы управления бесконтактным двигателем
4.1. Проектирование микросхемы управления бесконтактным двигателем на основе магниторезистивного моста
4.2. Проектирование микросхемы управления бесконтактным двигателем на основе интегрированного МР моста и
датчика Холла
Заключение.
Список используемой литературы