СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ПОЛИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК МАТЕРИАЛОВ гпО, ГОвЬ, Си, вЦ
1.1. Способы полирования и обработки поверхности цинкита
1.1.1. Физикохимические свойства, методы выращивания и области применения кристаллов ..
1.1.1.1. Физические свойства.
1.1.1.2. Химические свойства.
1.1.1.3. Получение оксида цинка
1.1.1.4. Применение оксида цинка.
1.1.2. Краткая характеристика современных методов травления, полирования и
механической обработки поверхности кристаллов .
1.2. Получение, свойства и применение кристаллов и подложек ЫЬ
1.2.1. Выращивание монокристаллов 6
1.2.2. Общая характеристика и применение 6.
1.3. Полирование поли и монокристаллической меди.
1.4. Полирование кремниевых непланарных поверхностей
1.5. Обзор методов шлифования, алмазного полирования и химикомеханического полирования ХМП материалов
1.5.1. Механическое полирование.
1.5.2. Химическое полирование.
1.5.3. Химикомеханическое полирование .
1.6. Выводы и постановка задач исследования.
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ И ХМП МАТЕРИАЛОВ И ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК.
2.1. Методы механической обработки и ХМП материалов методы исследования полированных поверхностей
2.1.1. Оборудование, материалы, оснастка механической обработки
2.1.2. Методы исследования геометрических свойств полированных поверхностей
2.1.3. Методы исследования свойств поверхности Си в условиях
сверхвысокого вакуума
2.1.4. Исследование тонкой приповерхностной структуры кристаллов мегодом Резерфордовскош обратного рассеяния каналируемых ионов.
2.2. Разработка коллоидных полирующих композиций.
2.2.1. Коллоиднохимические и полирующие свойства аэросила, модифицированного диэтиленпликолсм АДЭГ
2.2.2. Изучение коллоиднохимических свойств дисперсий нанодетонационных алмазов ДНА и разработка на их основе полировальных композиций.
2.3. Разработка технологии ХМП поверхности
2.3.1. Технологический маршрут механической обработки
пластин и мишеней из .
2.3.2. Изучение взаимодействия поверхности с растворами травитслсй, водными композицими модифицированных аэросилов и их смесями для разработки коллоидных полирующих композиций и технологии ХМП.
2.3.3. Изучение геометрических и структурных свойств поверхности
2.3.3.1. Геометрические свойства
полированных поверхностей .
2.3.3.2. Исследование тонкой приповерхностной структуры кристаллов методом ионов
2.3.3.3. Рентгенострукгурные исследования поверхности полярных граней после ХМП.
2.4. Разработка технологии механической обработки и ХМП поверхности кристаллов i .
2.4.1. Маршрут механической обработки монокристаллов i
2.4.2. Разработка технологии ХМП i
2.4.3. Изучение основных физикомеханических свойств полированной поверхности монокристаллов i.
2.4.4. Изучение шероховатости рельефа и приповерхностной структуры кристаллов i после ХМП и других способов полирования методами и .
2.5. Разработка технологии ХМП подложек Си
2.5.1. Разработка технологии финишной обработки подложек поли и монокристалл ической меди композициями на основе золя кремнезема
2.5.2. Изучение свойств полированных поверхностей меди.
2.7. Обсуждение результатов.
2.8. Выводы.
ГЛАВА 3. ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЙ МЕХАНИЗМ ПРОЦЕССА
ХМП КРИСТАЛЛОВ.
3.1. Физикохимические процессы при ХМП кристаллов
3.2. Электрохимический аспект ХМП.
3.3. Термодинамический аспект ХМП , и i. Использование диаграмм ЕррН для целенаправленного выбора химического состава в коллоидных композициях для ХМП.
3.4. Механохимический аспект
3.5. Особенности воздействия механических факторов при полировании кристаллов композициями ДНА и ХМП аморфным кремнезмом.
3.6. Образование точечных дефектов в кристаллах в процессе полирования композициями ДНА.
3.7. Выводы.
ГЛАВА 4. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ХИМИКОМЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ДЛЯ СОЗДАНИЯ
ПРИБОРОВ ЛАЗЕРНОЙ ТЕХНИКИ И КРЕМНИЕВОЙ
ЭЛЕКТРОНИКИ
4.1. Создание УФквантоскопов на базе лазерных мишеней , изготовленных методом ХМП
4.2. Химикомеханическое нанополирование подложек для создания гомоэпитаксиальных пленок для УФлазеров
4.3. Разработка технологии химикомеханического нанополирования поверхности цилиндрических подложек из монокристаллического i
для создания мощных выпрямительных диодов.
4.4. Исследование оптических свойств кремния после различных видов финишной обработки.
4.5. Выводы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922