Низкотемпературный синтез и автоэмиссионные свойства композитных углеродных пленок

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. Синтез и применение углеродных материалов в электронике.
1.1. Аллотропия углерода получаемого из газовой фазы.
1.2. Использование углеродных материалов в качестве катодов для автоэмиссионных приборов
1.3. Механизмы самоорганизующегося роста и проводимости структур с квантовыми точками
1.4. Применение СВЧ газового разряда в магнитном поле для получения углеродных материалов.
1.5. Выводы и постановка задачи
2. Осаждение пленок углерода различных аллотропных модификаций в
плазме СВЧ газового разряда.
2.1. Установка для осаждения углеродных пленок в плазме СВЧ газового разряда с магнитным полем и методы исследования полученных
покрытий.
2.2.Формирование графитовой фазы углерода при осаждении в ацетиленсодержащих газовых смесях.
2.3.Низкотемпературный синтез пленок углерода различного состава в
плазме паров этанола
2.4.Вывод ы
3. Влияние параметров осаждения на рост композитных кластерных углеродных пленок.
3.1.Исследование микротопограф и и поверхности углеродных пленок.
3.2. Влияние величины прокачки рабочего вещества на характер поверхности получаемых покрытий.
3.3. Распределение кластеров по толщине углеродной матрицы.
3.4. Выводы
4. Электронные свойства поверхности углеродных пленок различного состава и структуры.
4.1. Методика экспериментальных исследований диодов на основе нанокластсрных углеродных пленок
4.2. Влияние режима осаждения на автоэлектронные свойства углеродных
пленок.
4.3. Влияние легирующей примеси на электронные свойства поверхности углеродных пленок.
4.4. Выводы
5. Разработка электротехнологических методик синтеза композитных
углеродных пленок.
5.1. Управление характеристиками углеродных покрытий в процессе их роста
5.2. Основные технологические параметры в процессе осаждения углеродных пленок.
5.3. Синтез углеродных нанокластерных пленок для покрытия автоэмиссионных катодов
5.4. Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА