Разработка и исследование новых типов сверхпроводниковых туннельных переходов для приемных СВЧ устройств

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Обзор области исследования
1.1 Эффекты Джозефсона.
1.2 Типы слабосвязанных структур.
1.3 , Выбор материалов для планарных СИС структур
1.4 Технология изготовления СИС переходов методом
селективного травления
1.5 Определение основных параметров СИС переходов
1.6 СИС переходы в СВ Ч примных устройствах на основе
квазичастичной нелинейности.
1.7 Постановка задачи исследования.
Глава 2. Эффект близости в структурах 1ЧЬА1АЮХ1ЧЬ
2.1 Микроскопическая теория туннельного эффекта для СНИС
структур
2.2 Методика проведения эксперимента.
2.3 Влияние толщины нижнего электрода на параметры СИС
переходов.
2.4 Влияние толщины слоя барьерного алюминия на параметры
СИС переходов.
2.5 Структуры с дополнительным слоем алюминия в нижнем
электроде.
Глава 3. Туннельные джозефсоновские СИС переходы на основе
структур 1ЧЬА1АШхГуЬ и ЧЬА1А1Чх ЬК
3.1 Барьер А 1АШх.
3.2 Методика проведения экспертента.
З. З СИС переходы на основе структуры МА 1А ШИЬ.
3.4 СИ С переходы на основе структуры МА 1А ШМИ.
3.5 Сверхпроводниковый генератор гетеродина на основе
структуры МА1АШИЬИ
Глава 4. Туннельные джозефсоновские СИСпереходы на основе
структуры
4.1 Свойства плнок МИ и СИС структуры на их основе
4.2 Методика проведения эксперимента.
4.3 СИС переходы на основе структуры
Заключение.
Работы автора по теме диссертации
Список литературы