СОДЕРЖАНИЕ
Введение
Глава 1. Обзор литературы
1.1 Особенности строения и свойства МОСП материалов
1.2 Симметрия сверхпроводящего параметра порядка УВСО
1.3 Способы формирования МОСП структур
1.4 Особенности бикристаллических джозефсоновских переходов
1.5 Токфазовая зависимость джозефсоновских переходов
на основе МОСП
1.6 Усиление СВЧ сигналов СКВИДом
1.7 Цепочки СКВИДов
Глава 2. Гибридные гетеропереходы на основе УВСО с магнитоактивной прослойкой.
2.1 Рост эпитаксиальных УВСО пленок методом лазерного
распыления
2.2 Технология изготовления планарных ГП МЬАиМУВСО
2.3 Измерение электрофизических характеристик планарных
ГП ЫЬАиАГГУВСО
Глава 3. Бикристаллические джозефсоновские переходы.
3.1 Введение
Методика формирования джозефсоновских структур
3.3 Джозефсоновские переходы на симметричных наклонных
бикристаллических подложках
3.3 Исследование электрофизических параметров переходов
3.4 Исследование динамических параметров переходов
3.5 Джозефсоновские переходы на асимметричных наклонных
бикристаллических подложках
Глава 4. Исследование электрофизических характеристик
многоэлементных джозефсоновских СКИФструкгур.
4.1 Введение.
4.2 Формирование СКИФструктуры.
4.3 Исследование электрофизических характеристик
многоэлементных СКИФструктур.
Глава 5. Высокочастотные характеристики многоэлементных джозефсоновских СКИФструктур.
5.1 Топология СВЧ микросхемы и измерительная система
5.2 Результаты частотных и шумовых измерений
5.3 Дифференциальные СКИФструктуры
Заключение
Список цитированной литературы
- Київ+380960830922