Разработка приборов анализа и повышения степени чистоты поверхности диоксида кремния

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 МОДИФИКАЦИЯ ПРИБОРА, СОЗДАЮЩЕГО ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ГАЗОВЫЙ РАЗРЯД ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК
1.1 Анализ приборов, формирующих высоковольтный газовый разряд .
1.2 Исследование механизмов формирования низкотемпературной плазмы высоковольтным газовым разрядом.
1.3 Модификация конструкции высоковольтного газоразрядного
прибора
Выводы.
ГЛАВА 2 СОЗДАНИЕ МЕТОДА И ПРИБОРА ДЛЯ ГРИБОМЕТРИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ЧИСТОТЫ ПОВЕРХНОСТИ
2.1 Анализ методов контроля чистоты поверхности диэлектрических подложек
2.1.1 Метод спектроскопии многократно нарушенного полного внутреннего отражения.
2.1.2 Метод измерения контактной разности потенциалов.
2.1.3 Методы контроля качества очистки по смачиваемости поверхности подложки
2.1.4 Трибометрический метод контроля.
2.2 Модификация трибометрического прибора для измерения чистоты поверхности диэлектрических подложек
2.3 Исследование режимов работы и параметров трибометрического прибора контроля чистоты поверхности подложек диоксида кремния
2.4 Определение критерия оценки технологически чистой поверхности
2.5 Исследование процесса трибометрического воздействия подложкизонда на структуру контролируемой поверхности.
2.6 Методика контроля чистоты поверхности диэлектрических подложек
трибометрическим методом.
ГЛАВА 3 РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ОТ ОРГАНИЧЕСКИХ ЗАГРЯЗНЕНИЙ
3.1 Анализ методов очистки поверхности подложек
3.1.1 Химическая очистка.
3.1.2 Лазерная очистка.
3.1.3 Очистка с использованием низкотемпературной плазмы.
3.2 Исследование механизмов формирования свойств поверхности
3.3 Анализ структуры молекулы органического загрязнения
3.4 Методика приготовления исходных образцов диоксида кремния с заданной степенью загрязнения
3.5 Исследование механизма очистки поверхности диоксида кремния в плазме высоковольтного газового разряда
3.6 Методика оценки остаточной концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния
3.7 Исследование зависимости остаточной концентрации органических загрязнений от физических факторов процесса очистки.
3.8 Методика финишной очистки поверхности диоксида кремния в плазме
высоковольтного газового разряда
Выводы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ