Электронная структура трехмерных топологических изоляторов

Содержание
Введение
Глава 1. Введение в физику топологических изоляторов и методы расчета
1.1. Основы физики топологических изоляторов.
1.1.1. Введение.
1.1.2. Поверхностные состояния .
1.1.3. Квантовое состояния Холлапервый шаг к ТИ
1.1.4. Сходства и различия графена сТИ.
1.2. Методы расчета электронной структуры.
1.2.1. Метод функционала электронной плотности.
1.2.2. Спинорбиталыюе взаимодействие
1.2.3. Псевдопотенциальный подход для вычисления электронной структуры кристаллов
1.3. Заключение к первой главе
Глава 2. Электронная структура бинарных халькогенидов В1 и 8Ь, а также тройных соединений на их основе.
2.1. Введение.
2.2. Электронная структура бинарных халькогенидов В8е3,
ВТе3, ЭЬгТез.
2.3. Эффект третьего компонента в системах ВТе, ВТее,
ВБегТе, 8Ь2Те, 8Ь2Тее.
2.4. Заключение ко второй главе.
Глава 3. Особенности электронной структуры слоистых тетрадими
топодобных соединений типа пАм В7 тАВз7 Ак ве, 5п, РЬ Ак В1, БЬ В17 Те, Бе, п1 т13.
3.1. Введение.
3.2. Электронная структура соединений типа А ВАВз 7
3.3. Специфика электронных поверхностных состояний в соединениях типа АВК72 ЗзВд7
3.4. Заключение к третьей главе.
Глава 4. Электронная структура тройных халькогенидов на основе таллия ПАВ7 АЭЬ, В1 ВЭе, Те
4.1. Введение.
4.2. Объемная электронная структура в Т1ВГГе2, Т1Ве2, ТЬТе2,
ПЭЬЗез
4.3. Поверхностная электронная структура соединений Т1АВ2 .
4.4. Заключение к четвертой главе.
Заключение
Литература