Оглавление
Введение.
1. Шум 1 СаЛв эпитаксиальных пленок в модели бистабильных дефектов
1.1. Подвижность носителей тока.
1.1.1. Рассеяние электронов на ионизованных примесях
1.1.2. Рассеяние на диполях.
1.1.3. Рассеяние на нейтральных мелких донорах
1.1.4. Сравнительный анализ компонент подвижности носителей тока
1.2. Модель шума на основе ансамбля ДУС
1.2.1. Спектр СТП, образованного бистабильным дефектом
1.2.2. Синтез спектра 1шума в модели ансамбля СТП
1.2.3. Оценивание высот потенциальных барьеров ДУС
1.3. Исследуемые образцы н экспериментальная установка
1.4. Анализ температурных зависимостей
1.4.1. Концентрация электронов
1.4.2. Полная подвижность электронов
1.5. Оценка флуктуаций подвижности, обусловленных переключением бистабильных дефектов.
1.6. Исследование биспектра Ишума
1.6.1. Введение.
1.6.2. Измерение биспекгра НЧ шума
1.6.3. Оценка биспектра шума.
1.6.4. Оценка статистической ошибки измерения биспектра.
1.7. Заключение к первой главе
2. Фликкерный шум субмикронных полевых транзисторов с затвором Шотки.
2.1. Измерительная аппаратура.
2.1.1. Установка для измерения вольтамперной характеристики.
2.1.2. Установка для шумовых измерений
2.2. Вольтамперные характеристики.
2.2.1. Моделирование ВАХ
2.2.2. Экспериментальные данные.
2.2.3. Обсуждение параметров модели.
2.3. Исследование спектра Ишума
2.3.1. Интенсивность Щшума разных областей канала транзистора
2.3.2. Диполи в качестве бистабильных дефектов
2.3.3. Проявление естественного старения ПТШ в 1шуме
2.3.4. Исследование параметра формы спектра шума.
2.3.5. Токовые зависимости.
2.4. Выявление и тренировка потенциально нестабильных образцов
2.5. Заключение ко второй главе
Заключение.
Приложение 1. Основные характеристики приборов установки для измерения Ишума.
Приложение 2. Программный комплекс для исследования НЧ шума ПТШ
Список литературы
- Киев+380960830922