Вы здесь

Переход примеси кремния из триметилгаллия в эпитаксиальные слои GaAs, полученные по реакции триметилгаллия и арсина

Автор: 

Вострухин Олег Александрович

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197731

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Волоконные световоды на основе высокочистого кварцевого стекла с высокой концентрацией легирующих элементов, полученные методом MCVD
• Теплоемкость высокочистого кремния