Вы здесь

Управление формой и свойствами профилированных кристаллов сапфира в процессе их выращивания

Автор: 
Курлов Владимир Николаевич
Тип работы: 
Дис. д-ра техн. наук
Год: 
2003
Артикул:
17863
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДНИЕ
ГЛАВА 1. СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ САПФИРА И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ. МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА ИЗ РАСПЛАВА ОБЗОР.
1.1. Основные свойства кристаллов сапфира и области применения.
1.2. Основные методы получения кристаллов сапфира из расплава.
1.2.1. Методы получения объемных кристаллов сапфира из расплава.
1.2.1.1. Метод Вернейля.
1.2.1.2. Метод Чохральского.
1.2.1.3. НЕМ метод.
1.2.1.4. Метод направленной кристаллизации.
1.2.2. Способы получения профилированных кристаллов
сапфира из расплава.
1.2.2.1. Варианты способа Степанова с использованием капиллярной подпитки.
1.2.2.1.1. Метод i i .
1.2.2.1.2. Метод вариационного формообразования.
1.2.2.1.3. Кристаллизация из элемента формы метод.
1.2.3. Выращивание оксидных волокон из расплава.
1.3. Выводы.
ГЛАВА 2. МЕТОД НЕКАПИЛЛЯРНОГО ФОРМООБРАЗОВАНИЯ.
2.1. Образование дефектов в местах встречи потоков расплава под фронтом кристаллизации.
2.2. Принцип метода некапиллярного формообразования, выращивание монолитных кристаллов сапфира с постоянным поперечным сечением.
2.3. Выращивание кристаллов сапфира переменного сечения с использованием некапиллярной подпитки.
2.3.1. Выращивание сапфировых тиглей.
2.3.2. Выращивание сапфировых полусферических заготовок методом.
2.4. Выводы по Главе 2.
ГЛАВА 3. ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА СЛОЖНОЙ ФОРМЫ ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОПТИКИ.
3.1. Распределение температуры и термоупругих напряжений вблизи фронта кристаллизации в кристаллах сапфира, выращиваемых методом.
3.2. Причины образования трещин и поиск оптимальных условий выращивания сапфировых полусфер, свободных от трещин.
3.2.1. Типы разрушения в процессе выращивания.
3.2.1.1. Численный анализ напряжений.
3.2.1.2. Образование трещины.
3.2.1.3. Распространение трещины.
3.2.2. Критерий критической скорости деформации.
3.3. Выращивание сапфировых полусфер методом.
3.3.1. Использование установки с горизонтальным перемещением штока.
3.3.2. Формирование полусферической заготовки
необходимой геометрии.
3.3.3. Параметры выращивания полусферы.
3.3.4. Управление выращиванием полусферической заготовки
в режиме реального времени.
3.4. Механические свойства кристаллов, выращенных методом. ЮЗ
3.5. Выводы по Главе 3. до ГЛАВА 4. АВТОМАТИЗАЦИЯ ВЫРАЩИВАНИЯ
ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ САПФИРА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДАТЧИКА ВЕСА.
4.1. Описание общей структуры автоматизированной системы управления.
4.2. Затравливание.
4.3. Разращиванис.
4.3.1. Коррекция программного изменения массы.
4.4. Стационарный рост.
4.5. Примеры использования автоматизации при выращивании профилированных кристаллов сапфира.
4.5.1. Выращивание крупногабаритных сапфировых лент для оптики.
4.5.1.1. Выбор оптимальной ориентации.
4.5.1.2. Расчет программной массы.
4.5.1.3. Оптимизация элементов тепловой зоны, примеры выращивания.
4.5.2. Выращивание крупногабаритных сапфировых труб.
4.5.2.1. Разращивание сапфировой трубы.
4.5.2.2. Тепловая зона для выращивания крупногабаритных
4.5.3. Выращивание кристаллов в групповом режиме.
4.5.4. Выращивание сапфировых стержней и лент с капиллярными каналами
4.5.5. Выращивание кристаллов методом .
4.6. Выводы по Главе 4.
ГЛАВА 5. ВЫРАЩИВАНИЕ ПРОФИЛИРОВАННЫХ
КРИСТАЛЛОВ САПФИРА С ПРОСТРАНСТВЕННЫМИ
СТРУКТУРАМИ ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА.
5.1. Получение периодических структур в профилированных кристаллах сапфира.
5.1.1. Получение периодических структур способом Степанова.
5.1.2. Получение периодических структур методом.
5.2. Выращивание волокон сапфира с переменным по сечению составом.
5.3. Получение структур переменного состава методом .
5.4. Получение пространственных структур переменного состава методом Степанова.
5.5. Выводы по Главе 5.
ГЛАВА 6. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ВЫРАЩИВАНИЯ ОКСИДНЫХ ВОЛОКОН ДЛЯ КОМПОЗИТОВ.
6.1. Выращивание однородноориентированных волокон сапфира методом внутренней кристаллизации.
6.1.1. Кристаллизация волокон.
6.1.2. Микроструктура 1СМволокон сапфира.
6.1.3. Характеристики прочности сапфировых 1СМволокон.
6.2. Выращивание других оксидных волокон.
6.3. Некоторые применения оксидных волокон.
т
6 0 3 8
6.3.1. Применение волокон в жаропрочных композитах с матрицами на основе никеля.
6.3.2. Применение волокон в жаропрочных композитах с матрицами на основе алюминидов титана.
6.3.3. Применение волокон в оксидоксидных композитах.
6.4. Выводы по Главе 6.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА