Исследование двухчастотных полупроводниковых лазеров методом ближнепольной сканирующей оптической микроскопии

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение.
Глава I. Методы изучения топографии и характеристик излучения полупроводниковых лазеров литературный обзор.
1.1. Общие характеристики полупроводниковых лазеров на гетероструктурах.
1.2. Исследование морфологии гетсроструктур
1.3. Исследование характеристик излучения полупроводниковых
лазеров
Глава II. Методы и объект исследования.
2.1. Атомносиловая микроскопия
2.2. Ближнепольная сканирующая оптическая микроскопия
2.3. Двухчастотный лазер.
2.4. Метод жидкостного селективного химического травления
Глава III. Исследование полупроводникового лазера
3.1. Экспериментальная установка.
3.2. Ближнепольные зонды.
3.3. Изучение ближнеиольного излучения полупроводникового лазера
3.4. Геометрия излучающей области двухчастотного
полупроводникового лазерного диода.
Глава IV. Результаты исследования пространственной
структуры излучения двухчастотного лазера
4.1. Сопоставление топографии излучающей поверхности полупроводникового лазера и его излучения в ближнем поле
4.2. Спектрально разрешенное исследование пространственной структуры излучения в ближнем поле.
4.3. Модальная структура излучения лазерных диодов.
Заключение
Литература