Содержание
1. Анализ методов моделирования радиационного воздействия на конструкцию микроэлектронных устройств и постановка задачи
1.1. Методология оценки стойкости изделий микроэлектроники в соответствии с ГОСТ Климат7.
1.2. Воздействие рентгеновского излучения с большой степенью поглощения на конструкцию микроэлектронного устройства
1.3. Анализ моделей расчета тепловых и термомеханических эффектов
и средств учета их в САПР микроэлектронных устройств
1.4. Цель и задачи исследования.
2. Математические модели расчета тепловых и термомеханических эффектов, возникающих в конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского излучения
с большой степенью поглощения.
2.1 Динамическая модель процессов, возникающих в
конструкции микроэлектронного устройства при воздействии рентгеновского излучения с большой степенью поглощения
2.2. Прогнозирование тепловых эффектов
2.3. Прогнозирование термомеханических эффектов.
2.4. Методика расчета стойкости микроэлектронных устройств
к воздействию излучения с большой степенью поглощения.
3. Разработка алгоритмического, информационного и проблемноориентированного программного обеспечения расчета тепловых
и термомеханических эффектов.
3.1. Общий алгоритм расчета тепловых и термомеханических
эффектов
3.2. Структура программного обеспечения расчета тепловых
и термомеханических эффектов
3.3. Информационное обеспечение расчета тепловых
и термомеханических эффектов
4. Результаты прогнозирования и оценка эффективности
программных средств.
4.1. Комплекс программ расчета стойкости микроэлектронных устройств к тепловым и термомеханическим эффектам.
4.2. Результаты расчета тепловых и термомеханических эффектов для различных конструкций корпусов изделий микроэлектроники
и рекомендации по их проектированию
4.3. Оценка эффективности разработанных средств, внедрение средств прогнозирования и разработка методического обеспечения
Заключение.
Список использованных источников
- Киев+380960830922