Вы здесь

Дефектоутворення в монокристалах CdS і CdS:Cu при опроміненні частинками підпорогової енергії.

Автор: 
Мирончук Галина Леонідівна
Тип работы: 
Дис. канд. наук
Год: 
2009
Артикул:
0409U000306
129 грн
Добавить в корзину

Содержимое

ЗМІСТ
ВСТУП .
РОЗДІЛ І
ОГЛЯД ЛІТЕРАТУРИ
1. Загальна характеристика монокристалів CdS
1.2. Основні типи дефектів у напівпровідниках
1.3. Порогова енергія утворення дефектів у напівпровідниках.
1.4. Основні механізми підпорогового дефектоутворення
Висновки
РОЗДІЛ II
МЕТОДИКА І ТЕХНІКА ЕКСПЕРИМЕНТУ
2.1. Деякі особливості технології одержання монокристалів CdS .
2.2. Експериментальні методи дослідження електричних,
оптичних і фотоелектричних параметрів зразків і їх характеристика
Висновки .
РОЗДІЛ ІІІ
РАДІАЦІЙНІ ДЕФЕКТИ УТВОРЕНІ РЕНТГЕНІВСЬКИМ ОПРОМІНЕННЯМ В ЧИСТИХ І ЛЕГОВАНИХ МІДДЮ МОНОКРИСТАЛАХ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ
Вступ
3. Умови опромінення монокристалічного сульфіду кадмію частинками з надпороговою і підпороговою енергіями .
3.2. Утворення і перебудова дефектних комплексів,
відповідальних за центри люмінесценції в CdS:Cu-монокристалах,
опромінених частинками з надпороговою і підпороговою енергіями
3.3. Особливості центрів повільної рекомбінації, утворених
частинками підпорогової енергії .
3.4. Вплив процесів підпорогового дефектоутворення на фоточутливість
і спектральний розподіл фотопровідності CdS- і CdS:Cu-монокристалів
Висновки .
РОЗДІЛ IV
ПІДПОРОГОВЕ ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ ПРИ ІОНІЗАЦІЇ АТОМІВ КРИСТАЛІЧНОЇ ҐРАТКИ І ЛАЗЕРНОМУ ОПРОМІНЕННІ
Вступ
4.1. Особливості дефектоутворення в монокристалах
CdS і CdS:Cu під впливом опромінення
високоіонізуючими зарядженими частинками
4.2. Вплив лазерного опромінення на властивості
спеціально нелегованих і легованих атомами Cu
монокристалів сульфіду кадмію .
4.3. Лазерний вілпал структурних дефектів відповідальних
за центри люмінесценції в монокристалах сульфіду кадмію .
Висновки .
РОЗДІЛ V
РОЛЬ ВИХІДНОГО ДЕФЕКТНОГО СТАНУ ЗРАЗКІВ НА ПРОЦЕСИ ПЕРЕБУДОВИ ЦЕНТРІВ ВИПРОМІНЮВАЛЬНОЇ РЕКОМБІНАЦІЇ І ДЕГРАДАЦІЮ ФОТОЧУТЛИВОСТІ МОНОКРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ КАДМІЮ ОПРОМІНЕНОГО ІОНІЗУЮЧИМИ ЧАСТИНКАМИ
Вступ
5.1. Вплив вихідного дефектного стану монокристалів
CdS на особливості підпорогового дефектоутворення
і зміну спектрів випромінювання дефектних утворень
при електронному опроміненні зразків .
5.2. Кінетика деградації власної фотопровідності електронно
опромінених монокристалів CdS:Cu .
5.3. Перебудова центрів швидкої рекомбінації в процесі деградації
власної фоточутливості зразків
Висновки .
ОСНОВНІ ВИСНОВКИ .
СПИСОК