Вы здесь

Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9

Автор: 
Хан Мен Ук 0
Тип работы: 
ил РГБ ОД 61
Год: 
1304
Артикул:
7557
179 грн
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ Стр.
. . . 4
ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ О ПОЛУЧЕНИИ И ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ТРОЙШХ ПОЛУПРОВОДНЙКОШХ СОЕРНЕНИЙ НА ОСНОВЕ ЭЛШЕНТОВ А1, и С . 9
СИНТЕЗ СОЕРНЕНИЙ , ,
И ИЗЛУЧЕНИЕ ИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ . . V
Синтез соединений и
Термографический анализ i V i v
Получение монокристаллов 3 и
i3
Рентгеноструктурный анализ . . I
ЭЛЖТРИЧЕСКИЕ И ГАЛЬВАНОМАШИТНЫЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ И
, . . i
Вольтамперные характеристики системы металл Си3 i . . . v i Электропроводность соединения Сйз
Подвижность носителей тока в 3
ВАХ и электропроводность монокристаллов . . . .
Частотная зависимость диэлектрической проницаемости кристаллов Сиз , i Дифференциальная термоэ.д.с. в монокристаллах Сиз 9 i i г. i i . V
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В МОНОКРИСТАЛЛАХ Сиз 9 и
Стр.
4.1. Методика измерений ФП и ТОТ . . . . V 4.2. Фотопроводимость и ее температурная зависимость в монокристаллах 39 v 4.3. Время жизни неравновесных носителей тока в
монокристаллах Сиз 3 4.4. Термостимулированная проводимость в монокристаллах Сиз 4
4.5 Спектр фотопроводимости монокристаллов
ф 9 . . 5 V . Ю6
ГЛАВА. У ОШИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ
Си з 9 и 3 9 Ю9
5Ii Приготовление образцов для оптических исследований . . . 9
5.2. Экспериментальная установка для измерения
отражения и пропускания при нормальном падении излучения . . . 2
53 Основные оптические параметры II4II
5.4 Спектр коэффициента поглощения монокристал
лов 9 . . . i v ш
55. Спектр коэффициента отражения кристаллов
i9 . v . 1
5.6. Спектр коэффициента поглощения у края полосы собственного поглощения монокристаллов
Лд9 9 . . . 3
ЗАКЛЮЧЕНИЕ . . . . . . . 7
ЛИТЕРАТУРА