- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Атомные реконструкции и электронные свойства поверхностей полупроводников A3B5 с адсорбатами
Тип роботи:
Докторская
Рік:
2013
Артикул:
324350 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
- Арсенид галлия : Радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения
- Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями
- Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе
- Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах
- Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
- Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния
- Моделирование неомической электропроводности сильно неоднородных сред