- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324427 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау
- Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе
- К теории кинетических явлений в двумерных анизотропных системах
- Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
- Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
- Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP
- Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец
- Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек