Ви є тут

Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении

Автор: 

Зарецкий Сергей Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212905

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
• Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
• Спектры электронных локальных состояний в фотопроводнике поливинилкарбазоле, применяемом в электрофотографии
• Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: λ =0,78 - 1,3 мкм
• Природа примесных состояний, образуемых атомами олова и железа в аморфном кремнии и халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x
• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией