Ви є тут

Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур

Автор: 

Чайка Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000207912

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией
• Фотоэлектрические преобразователи солнечной и тепловой энергии на основе антимонида галлия
• Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
• Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
• Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов
• Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии
• Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
• Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках