Ви є тут

Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойств

Автор: 

Лундин Всеволод Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000196908

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот
• Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах
• Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
• Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
• Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
• Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры
• Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами
• Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
• Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений
• Электронные и сорбционные процессы в сенсорах на основе гетероструктуры кремний / металлоксидный полупроводник