- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Получение тонких пленок Y Ba2Cu3O6+6 для устройств твердотельной электроники
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
1998
Артикул:
1000200130 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
- Моделирование процесса пленкообразования на стадиях предварительной разработки оборудования электронной техники
- Иерархически организованные пористые газочувствительные слои системы SnO2-SiO2, полученные золь-гель методом
- Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев кремния в системе SiH4-H2 на подложках цилиндрической формы
- Исследование и разработка методов защиты поверхности кремниевых фотодиодов с применением ионной имплантации
- Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметра
- Экспериментальное определение тонких механизмов поглощения водорода титаном для расширения номенклатуры эксплуатационных характеристик пористых геттеров
- Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si
- Исследование и разработка прогрессивной технологии прецизионных гибких полиимидных шлейфов для высокоплотного монтажа
- Разработка технологии массового производства радиационно стойких монокристаллических сцинтилляторов вольфрамата свинца