СОДЕРЖАНИЕ
Введение.
Глава 1. Элекфонные резисты и их применение лтя структурирования
1.1. Электронные резисгы
1.2. Проявление электронных резистов
1.3.Темпсратурный эффект и эффект близости
1.4. ЗОструктурированис
Глава 2. Технология изготовления образцов и методика эксперимента
2.1. Материалы и установки
2.2. Методика измерений.
1 лава 3. Новый метод определения контрастности электронных резистов
3.1. Описание метода
3.2 Влияние параметров проявления на контрастность электронного резиста
3.3 Реальная и эффективная контрастности электронных резистов
3.4 Исследование способов уменьшения шероховатости электронных резистов на примере ММА 0К.
Глава 4. Исследование зависимости поглощенной дозы от
способа экспонирования и плотности тока максэффект.
4.1 Описание максэффекта.
4.2 Математическая модель максэффекта.
4.3 Экспериментальное определение параметров максэффекта
Глава 5. Новый послойный метол ЗЭструктурирования и создание оптически активных структур
5.1 Описание метода
5.2 Примеры структур.
5.3 Фотонные структуры на основе резиста с центрами люминесценции
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922